| 講演名 | 1998/1/22 AIN/GaN IG-HFET (Insulated Gate Heterostructure FET) の作製と評価 河合 弘治, 原 昌輝, 中村 文彦, 今永 俊治, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | ワイドギャップ半導体であるGaN系材料を用いて、AlN/GaN/AlGaN絶縁ゲート型ヘテロ接合FETを提案した。この素子の一次元モンテカルロシミュレーションを行い、GaInNをチャネルに用いたとき電子濃度は3x10^<13>cm^<-2>程度、真性G_mとして、2.5S/mm程度が予想された。又、AlN (4nm)/GaN (15nm)/AlGaN IG-HFETを試作し、L_g=1.4μmでG_m=220mS/mmとこのクラスでは最高の値がえられた。閾ゲート電圧は約0Vで、これはAlN/金属の非常に高いSchottky障壁を示唆していた。 |
| 抄録(英) | A novel insulated gate heterostructure field effect transistor (IG-HFET) was demonstrated. A one dimensional simulation showed that the device has a G_m around 2.5mS/mm. The structure was the stack of AlN (4nm) / n^+GaN (15nm) / AlGaN layers on sapphire substrate, which were grown sequentially by MOCVD. The device operated with gate voltage up to +3 volts. The pinch-off voltage was about 0 volt, which resulted from the very high Schottky barrier height and the very thin AlN layer. The measured transconductance g_m was 220mS/mm for L_g=1.4μm, which is the highest so far reported. |
| キーワード(和) | GaN / AlGaN / HEMT / MISFET / IGHFET / HFET / MOCVD / シミュレーション |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / HEMT / MISFET / IGHFET / MOCVD / simulation |
| 資料番号 | ICD97-205 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1998/1/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AIN/GaN IG-HFET (Insulated Gate Heterostructure FET) の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An AlN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field Effect Transistor ; IG-HFET Simulations and Prototype Device Fabrication |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | MISFET / MISFET |
| キーワード(5)（和/英） | IGHFET / IGHFET |
| キーワード(6)（和/英） | HFET / MOCVD |
| キーワード(7)（和/英） | MOCVD / simulation |
| キーワード(8)（和/英） | シミュレーション |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河合 弘治 / Hiroji Kawai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社、中央研究所 Research Center, Sony Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 原 昌輝 / Masaki Hara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社、中央研究所 Research Center, Sony Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 文彦 / Fumihiko Nakamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社、中央研究所 Research Center, Sony Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今永 俊治 / syunji Imanaga |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社、中央研究所 Research Center, Sony Corporation |
| 発表年月日 | 1998/1/22 |
| 資料番号 | ICD97-205 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 481 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |