| 講演名 | 1998/1/21 Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT 國井 徹郎, 吉田 直人, 宮國 晋一, 志賀 俊彦, 奥 友希, 井上 晃, 宇土元 純一, 小丸 真喜雄, 辻 聖一, 石川 高英, |
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| 抄録(和) | 通信システム分野における送信用デバイスとして、WSi/Au T型埋め込みゲート構造を有するKu、K帯のPower HEMTを開発した。ゲートリセスリセス形成プロセスに選択エッチング技術を用いることで、ウエハ面内の素子のドレイン電流のばらつきは3σIdss/Idss=3.1%と、高均一化を達成し、さらにゲートオフ時の高ドレイン耐圧 (BVgd=19V) を得ることができた。18GHzにおけるWg=2.1mmの素子性能は、出力電力1.4W、電力利得9.2dB、電力付加効率55.6%と良好な特性を示した。まだ、21mmの内部整合HEMTにおいては、12GHzにて出力電力10.5W、線形利得9.8dB、電力付加効率54%と良好な結果を得た。 |
| 抄録(英) | We developed WSi/Au T-shaped buried gate pseudomorphic HEMTs with the good uniformity of recess current by using selective etching process and a high off-state break down voltage of over 19V. A 1.4W output power has been obtained with a power-added efficiency of 55.6% and an associated gain of 9.2dB under a high voltage operation of Vd=10V at 18GHz. A 21mm internally-matched HEMT has demonstrated an output power of 10.5W with a power-added efficiency of 54% and an linear gain of 9.8dB at 12GHz. |
| キーワード(和) | 高電子移動度トランジスタ / 高効率 / 高出力増幅器 / GaAs |
| キーワード(英) | HEMT / High efficiency / Power amplifier / GaAs |
| 資料番号 | ICD97-201 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ku, K-Band Power HEMT with WSi/Au T-Shaped Gate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ / HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高効率 / High efficiency |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力増幅器 / Power amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | GaAs / GaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 國井 徹郎 / T. Kunii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 直人 / N. Yoshida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮國 晋一 / S. Miyakuni |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 志賀 俊彦 / T. Shiga |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部 Mitsubishi Electric Corporation High Frequency & Optical Semiconductor Div. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 奥 友希 / T. Oku |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井上 晃 / A. Inoue |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宇土元 純一 / J. Udomoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 小丸 真喜雄 / M. Komaru |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 辻 聖一 / S. Tsuji |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部 Mitsubishi Electric Corporation High Frequency & Optical Semiconductor Div. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 石川 高英 / T. Ishikawa |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 Mitsubishi Electric Corporation Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory |
| 発表年月日 | 1998/1/21 |
| 資料番号 | ICD97-201 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 480 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |