| 講演名 | 1998/1/21 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討 筒井 宏彰, 竹中 功, 高橋 英匡, 麻埜 和則, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | 衛星通信用L帯GaAsFET高効率電力増幅器の低歪み化を検討し、その結果、1.5GHzにおいて電力付加効率68%、出力17.1W、利得16dBと高効率・高出力特性を示し、出力2dBコンプレッション点から5dBバックオフ点でのNPRとして-21dBcと良好な歪み特性を有する電力増幅器を開発した。出力側ドレインバイアス回路の低周波領域でのインピーダンスによってIM3やNPRなどの歪み特性が影響を受けることを実証し、そのインピーダンスの最適化を図ることにより低歪み特性を達成した。 |
| 抄録(英) | We have developed a GaAs FET power amplifier that demonstrates a high power-added efficiency of 68% with 17.1W output power and a 16dB linear gain at 1.5GHz. The developed 17W amplifier also exhibited state of the art low distortion characteristics of less than -21dBc NPR at the 5dB-output power back-off point from 2dB-gain compression point. The results indicated that the absolute value of bias circuit impedunce in the low frequency range influences the distortion characteristics of the amplifier. |
| キーワード(和) | GaAsFET / 電力増幅器 / 低歪 / IM3 / NPR / バイアス回路 |
| キーワード(英) | GaAsFET / power amplifier / low distortion / IM3 / NPR / bias circuit |
| 資料番号 | ICD97-200 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/1/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 衛星搭載用L帯高効率電力増幅器の低歪み化検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Distortion Design of High Efficiency Power GaAs FETs for L-band Satellite Communication System Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAsFET / GaAsFET |
| キーワード(2)（和/英） | 電力増幅器 / power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 低歪 / low distortion |
| キーワード(4)（和/英） | IM3 / IM3 |
| キーワード(5)（和/英） | NPR / NPR |
| キーワード(6)（和/英） | バイアス回路 / bias circuit |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 筒井 宏彰 / Hiroaki Tsutsui |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹中 功 / Isao Takenaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 英匡 / Hidemasa Takahashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 麻埜 和則 / Kazunori Asano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1998/1/21 |
| 資料番号 | ICD97-200 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 480 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |