| 講演名 | 1998/1/21 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ 脇本 啓嗣, 長岡 正見, 瀬下 敏樹, 川久 克江, 池田 佳子, 西堀 一弥, 北浦 義昭, 亀山 敦, 内富 直隆, |
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| 抄録(和) | 低歪の10dB利得可変機能を有するPHS用GaAsパワーアンプモジュールを開発した。PポケットMESFETを用いることで2.4V単電源での低歪・高効率動作を実現した。またカスケード構成のシャントFETによる可変減衰器を入力回路部に設けることで、利得にかかわらず隣接チャネル漏洩電力 (ACP) 一定という良好な低歪み特性を示した。電源電圧2.4Vの特性としてACP-55dBcにおいて出力は、21.1dBm、消費電流157mA、電力付加効率37.2%が得られた。 |
| 抄録(英) | A GaAs power amplifier with a low-distortion, 10-dB gain attenuator has been developed for 1.9-GHz personal handy phone system (PHS). Single low 2.4-V supply operation was achieved by using power MESFETs with p-pocket layers. Furthermore, on account of an attenuator with cascaded shunt FET structure, very low 600-kHz adjacent channel leakage power (ACP) with sufficient, constant output power was attained regardless of any controlled gain. An output power of 21.1dBm, a low dissipated current of 157mA and a high power-added efficiency of 37.2% were obtained with ACP of -55dBc. |
| キーワード(和) | 砒化ガリウム / ガリウム砒素 / PHS / パワーアンプ / 低歪 / 可変減衰器 / PポケットMESFET |
| キーワード(英) | Gallium Arsenide / PHS / Power Amplifier / Low-Distortion / Variable Attenuator / P-pocket MESFET |
| 資料番号 | ICD97-197 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/1/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低電圧単電源で動作する低歪可変減衰器付PHS用パワーアンプ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Single Low Voltage supply Operation GaAs Power MESFET Amplifier with Low-Distortion Gain Variable Attenuator for 1.9-GHz Personal Handy Phone Systems |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 砒化ガリウム / Gallium Arsenide |
| キーワード(2)（和/英） | ガリウム砒素 / PHS |
| キーワード(3)（和/英） | PHS / Power Amplifier |
| キーワード(4)（和/英） | パワーアンプ / Low-Distortion |
| キーワード(5)（和/英） | 低歪 / Variable Attenuator |
| キーワード(6)（和/英） | 可変減衰器 / P-pocket MESFET |
| キーワード(7)（和/英） | PポケットMESFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 脇本 啓嗣 / Hirotsugu Wakimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 Toshiba R&D Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長岡 正見 / Masami Nagaoka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 Toshiba R&D Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 瀬下 敏樹 / Toshiki Seshita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 Toshiba R&D Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川久 克江 / Katsue Kawakyu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 Toshiba R&D Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 池田 佳子 / Yoshiko Ikeda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 Toshiba R&D Center |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 西堀 一弥 / Kazuya Nishihori |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 マイクロ波事業開発部 Toshiba R&D Center |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 北浦 義昭 / Yoshiaki Kitaura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 Toshiba R&D Center |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 亀山 敦 / Atsushi Kameyama |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 研究開発センター Toshiba R&D Center |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 内富 直隆 / Naotaka Uchitomi |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 Toshiba R&D Center |
| 発表年月日 | 1998/1/21 |
| 資料番号 | ICD97-197 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 480 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |