| 講演名 | 1998/1/21 ゲート方位によるGaAs FETの温特制御 古川 秀利, 田中 毅, 石田 秀俊, 上田 大助, |
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| 抄録(和) | 我々はGaAsFETのドレイン電流やしきい値電圧の温度依存性がチップに加わるストレスによって誘起されるピエゾ電荷に強く依存することを見出した。この電荷によりFETのチャネルのキャリア分布が変化し、ドレイン電流やしきい値電圧の温度変化が発生する。ピエゾ電荷を誘起するストレスはダイボンド工程にてGaAsチップとチップがマウントされるベース金属との熱膨張率の違いによって発生する。ベース金属がCuの場合チップに残留するストレスを計算すると室温で4E9dyn/cm2となり、このストレスの温度変化がピエゾ電荷を変化させ温特の原因となっている。ストレスによりGaAs内に発生するピエゾ電荷分布は結晶方向によってコントロールできる。この性質を利用し、ゲート方向の適切な選択によってGaAsパワーFETやそれを用いたパワーアンプの温特を補償することが可能である。 |
| 抄録(英) | A temperature compensation technique of GaAs FET has been studied. It is found that temperature dependence of the drain current and the threshold voltage of GaAs FET is strongly related to the gate orientation. It is revealed that the cause of the temperature dependence is piezoelectric charges that are induced in the chip by a mechanical stress. The origin of the stress is a difference of thermal expansion coefficient of GaAs and base metal of leadframe. Based on the relation between the piezoelectric effect and the temperature dependence, we found a technique of temperature compensation of the drain current used for GaAs FET by rotating the gate orientation. |
| キーワード(和) | パワーFET / 温度特性 / ストレス / ピエゾ効果 / パワーアンプ / 熱暴走 |
| キーワード(英) | powerFET / temperature dependence / stress / piezo-electric effect / power amplifier / thermal runaway |
| 資料番号 | ICD97-196 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1998/1/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲート方位によるGaAs FETの温特制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperture compensation technique of GaAs FET by rotating the gate orientation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーFET / powerFET |
| キーワード(2)（和/英） | 温度特性 / temperature dependence |
| キーワード(3)（和/英） | ストレス / stress |
| キーワード(4)（和/英） | ピエゾ効果 / piezo-electric effect |
| キーワード(5)（和/英） | パワーアンプ / power amplifier |
| キーワード(6)（和/英） | 熱暴走 / thermal runaway |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古川 秀利 / H. Furukawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / T. Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石田 秀俊 / H. Ishida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上田 大助 / D. Ueda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業株式会社 電子総合研究所 Electronics Research Laboratory, Matsushita Electronics Corporation |
| 発表年月日 | 1998/1/21 |
| 資料番号 | ICD97-196 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 480 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |