講演名 1997/10/16
単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
丹沢 徹, 田中 智晴, 竹内 健, 中村 寛,
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抄録(和) NAND型フラッシュメモリの単一 1.8V化に必要な三つの回路、即ち、(1) 1.8V電源でも高速なスイッチングを実現するnMOS Vppスイッチ、(2)提案する、Vppスイッチを有するロウデコーダにおいてスタンバイ電流を従来の10uA以下のレベルに抑える制御方式、(3)回路面積を従来の60%にできる昇圧回路を設計した。
抄録(英) Three circuits have been designed for a 1.8V-only NAND Flash memory. The proposed Vpp switch realizes high-speed switching even at a supply voltage of 1.8V. The row decoder using the Vpp switch suppresses standby current below 10uA. Charge pump circuits with maximized use efficiency reduces the circuit area by 40%.
キーワード(和) NAND / フラッシュメモリ / 1.8V電源 / Vppスイッチ / ロウデコーダ / 昇圧回路
キーワード(英) NAND / Flash memory / 1.8V / Vpp switch / Row decoder / Charge pump
資料番号 ICD97-150-158
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 1997/10/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
サブタイトル(和)
タイトル(英) Design of a 1.8V-only NAND Flash Memory
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) NAND / NAND
キーワード(2)(和/英) フラッシュメモリ / Flash memory
キーワード(3)(和/英) 1.8V電源 / 1.8V
キーワード(4)(和/英) Vppスイッチ / Vpp switch
キーワード(5)(和/英) ロウデコーダ / Row decoder
キーワード(6)(和/英) 昇圧回路 / Charge pump
第 1 著者 氏名(和/英) 丹沢 徹 / Toru Tanzawa
第 1 著者 所属(和/英) (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 田中 智晴 / Tomoharu Tanaka
第 2 著者 所属(和/英) (株)東芝 メモリ事業部
Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 竹内 健 / Ken Takeuchi
第 3 著者 所属(和/英) (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 中村 寛 / Hiroshi Nakamura
第 4 著者 所属(和/英) (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
Microelectronics Engineering Laboratory, Toshiba Corporation
発表年月日 1997/10/16
資料番号 ICD97-150-158
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 318
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日