講演名 1997/10/16
相補動作ハーフスイングバスとワイドバンドSRAMマクロへの応用
中瀬 泰伸, 岩部 睦, 近藤 晴房, 益子 耕一郎, 松田 吉雄, 徳田 健,
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抄録(和) 高速動作と低消費電力を実現する相補動作ハーフスイングバスを提案する。このアーキテクチャはデータの双方向転送を可能にし、従来の小振幅バスの信号本数が2倍になる問題点もない。0.5μm CMOSプロセスによるバス幅112ビット、容量84KビットのATMスイッチLSI用SRAMマクロに適用して、電源電圧3.3Vで200MHz動作を確認した。本アーキテクチャでは、クロストークは各信号線の動作マージンを増やす方向に働くことも確認した。シミュレーションにより、フルスイングバスと比較して最大動作電流を50%、同時スイッチングによるピーク電流を66%削減できることがわかった。
抄録(英) A complementary half-swing bus architecture is proposed for high speed and low power operation. This architecture transfers data in mutual direction and solves the problem of two times as many as bus lines of conventional small swing architectures. It is applied to an SRAM macro with 112-bit bus and 84 K-bit capacity for an ATM switch LSI. The architecture operates beyond 200MHz at the supply voltage of 3.3V with a 0.5μm CMOS process technology. Moreover, we confirmed that the cross talk enlarged the logical swing. Simulation results show that the worst case power dissipation and the peak current are reduced by half and by 66%, respectively compared with full swing bus driver architectures.
キーワード(和) 小振幅バス / 低消費電力 / SRAM / ATMスイッチ
キーワード(英) small swing bus / low power / SRAM / ATM switch
資料番号 ICD97-150-158
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 1997/10/16(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 相補動作ハーフスイングバスとワイドバンドSRAMマクロへの応用
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Complementary Half-Swing Bus Architecture and its Application for Wide Band SRAM Macro
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 小振幅バス / small swing bus
キーワード(2)(和/英) 低消費電力 / low power
キーワード(3)(和/英) SRAM / SRAM
キーワード(4)(和/英) ATMスイッチ / ATM switch
第 1 著者 氏名(和/英) 中瀬 泰伸 / Yasunobu Nakase
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機システムLSI開発研究所
System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 岩部 睦 / Atsushi Iwabu
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機エンジニアリングLSI設計センター
LSI Engineering Office, Mitsubishi Electric Engineering Company
第 3 著者 氏名(和/英) 近藤 晴房 / Harufusa Kondo
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機システムLSI開発研究所
System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 益子 耕一郎 / Koichiro Mashiko
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機システムLSI開発研究所
System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 松田 吉雄 / Yoshio Matsuda
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機システムLSI開発研究所
System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 徳田 健 / Takeshi Tokuda
第 6 著者 所属(和/英) 三菱電機システムLSI開発研究所
System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
発表年月日 1997/10/16
資料番号 ICD97-150-158
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 318
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日