| 講演名 | 1997/9/26 熱的三次元効果を考慮した非等温デバイスシミュレーション 川島 博文, 檀 良, |
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| 抄録(和) | 非等温デバイスシミュレータ三次元鍍シミュレータを結合させることにより, トランジスタの自己発熱及び他の素子との熱相互作用が電気特性に及ぼす影響について報告する. 結果として, チップ内の温度はトランジスタ間距離などの回路レイアウトに大きく依存することがわかった. さらに, シリコンMOSFET解析を行った結果, たとえトランジスタの電気的及び幾何学的条件が同一の場合でも, 他の素子からの熱相互作用により電気特性が変化することがわかった. |
| 抄録(英) | Thermal three-dimensional effects on electrical characteristics of a small-size transistor, are reported, considering self-heating of individual devices and interaction among neighboring devices. The tool for this simulation is a combination of a non-isothermal device simulator and a three-dimensional thermal simulator. It is found that the temperature inside a chip significantly depends on its circuit layout. In addition, it is shown that the electrical characteristics of a transistor vary with the heat induced from other devices, even if its electrical and geometrical conditions remain unchanged. |
| キーワード(和) | デバイスシミュレーション / 温度シミュレーション / 自己発熱 / 熱相互作用 / MOSFET |
| キーワード(英) | device simulation / thermal simulation / self-heating / thermal interaction / MOSFET |
| 資料番号 | ICD97-143 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/9/26(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 熱的三次元効果を考慮した非等温デバイスシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Non-Isothermal Device Simulation including Three-Dimensional Thermal Effect |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | デバイスシミュレーション / device simulation |
| キーワード(2)（和/英） | 温度シミュレーション / thermal simulation |
| キーワード(3)（和/英） | 自己発熱 / self-heating |
| キーワード(4)（和/英） | 熱相互作用 / thermal interaction |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川島 博文 / Hirobumi Kawashima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 檀 良 / Ryo Dang |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 法政大学 Hosei University |
| 発表年月日 | 1997/9/26 |
| 資料番号 | ICD97-143 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 275 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |