| 講演名 | 1997/8/22 AD混載における各種論理回路の雑音発生量の比較 土方 克昌, 加島 洋二, 永田 真, 岩田 穆, |
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| 抄録(和) | 現在主流となっているCMOS論理回路では、スイッチング時の過渡電流により大きな雑音が発生し、AD混載LSIでは基板を通してアナログ回路に漏れてアナログ回路の性能を落とす。このクロストーク雑音を低く抑えるため、定電流で動作する論理回路としてCurrent Steering Logic:CSL, Current Mode Logic:CMLの雑音源としての特性を検討した。0.6μmCMOS技術を用いた回路シミュレーションと試作した雑音評価チップによって、各種論理回路から発生する雑音量を比較検討した。CMOSと比較してCSL, CMLの雑音量は、回路シミュレーションではそれぞれ約1/2, 1/10に低減でき、実測結果では約1/3, 1/7に低減できることがわかった。 |
| 抄録(英) | Currently used CMOS logic gates generate large noise by transient current at switching operations. This noise limits analog circuit performance in A-D mixed LSIs, because it transfers to analog circuits through a substrate. We have studied characteristics as noise sources of Current Steering Logic:CSL, Current Mode Logic:CML which operate with constant supply currents. By SPICE simulations and experiments of the test chip with 0.6μm CMOS technology, the noise amounts of these logics were evaluated. We have found that (1) simulated noise amounts of CSL and CML are around 1/2 and 1/10 compared with CMOS, respectively, and (2) measured substrate noise amounts are around 1/3 and 1/7. |
| キーワード(和) | AD混載LSI / スイッチング雑音 / クロストーク雑音 / CSL / CML |
| キーワード(英) | A-D mixed LSI / switching noise / crosstalk noise / CSL / CML |
| 資料番号 | ICD97-109 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/8/22(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AD混載における各種論理回路の雑音発生量の比較 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Comparison of Noise Generation of Various Logics in CMOS A-D mixed LSI's |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AD混載LSI / A-D mixed LSI |
| キーワード(2)（和/英） | スイッチング雑音 / switching noise |
| キーワード(3)（和/英） | クロストーク雑音 / crosstalk noise |
| キーワード(4)（和/英） | CSL / CSL |
| キーワード(5)（和/英） | CML / CML |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土方 克昌 / Katsumasa Hijikata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加島 洋二 / Yoji Kashima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永田 真 / Makoto Nagata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩田 穆 / Atsushi Iwata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学工学部 Faculty of Engineering, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 1997/8/22 |
| 資料番号 | ICD97-109 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 230 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |