| 講演名 | 1997/6/19 [特別招待論文]超高速・高周波CMOS LSIの可能性 松澤 昭, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 近年, CMOSデバイスを高周波LSIに用いる試みが盛んになっている. そこで本報告においてはf_T, fmax, NFなどのCMOSデバイスの高周波特性および超高速動作に関する最近の動向をまとめるとともに, 従来あまり報告されていない, 低消費電力動作を中心とする実際の回路設計上のノイズ・歪み・周波数特性などについて解析した. その結果, 実際の回路における性能は消費電流の少ないときに特性劣化が見られるものの, 今後の微細化の進展に伴い急速に向上すると結論づけた. |
| 抄録(英) | This paper reviews and discusses the potential of CMOS device as an ultra-high speed and high frequency LSI. The status of the fundamental RF characteristics and actual performances of CMS, such as f_T, noise, distortion, high frequency performance, especially under the low power operation will be analyzed. As a result, actual circuit performances will be much improved with a progress of the scaled technology, though it currently degrades under the low operating current. |
| キーワード(和) | 高周波 / 超高速 / CMOS / LSI / カットオフ周波数 / ノイズ / 歪み |
| キーワード(英) | high frequency / high speed / CMOS / LSI / cutoff frequency / noise / distortion |
| 資料番号 | ED97-50 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
|---|---|
| 開催期間 | 1997/6/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | [特別招待論文]超高速・高周波CMOS LSIの可能性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A potential of CMOS as an ultra-high speed and high frequency LSI |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高周波 / high frequency |
| キーワード(2)（和/英） | 超高速 / high speed |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | LSI / LSI |
| キーワード(5)（和/英） | カットオフ周波数 / cutoff frequency |
| キーワード(6)（和/英） | ノイズ / noise |
| キーワード(7)（和/英） | 歪み / distortion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松澤 昭 / Akira Matsuzawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Corporate Semiconductor Development Division Matsushita Electric Ind. Co., LTD. |
| 発表年月日 | 1997/6/19 |
| 資料番号 | ED97-50 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |