講演名 | 1997/6/19 最小消費電力動作を実現するパワーマネジメント手法の提案 中平 博幸, 崎山 史朗, 福田 大, 山本 明, 木下 雅善, 楠本 馨一, 松澤 昭, 山本 裕雄, 松谷 康之, 武藤 伸一郎, 西野 豊, 桜井 哲真, |
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抄録(和) | LSIの低消費電力動作を実現するためのパワーマネジメント手法について述べる. LSI内部に新規なパワーマネジメント回路(最小動作電圧検出回路, 可変遅延回路, DC/DCコンバータ, レベルシフタ)を組み込むことで, 外見上は3V単一ながら, 内部コアは常に必要処理性能を満たす最小電圧での動作を可能とした. また, MTCMOS技術を採用することで, 内部コアの低電圧, 高速動作と低スタンバイ電流を実現した. 本パワーマネジメント手法を携帯電話などに使用されているDSPにインプリメントした結果, 1.2V, 20MHz動作時で12mW(従来比1/5以下)の消費電力で動作することを確認した. |
抄録(英) | A lean power management technique which can realize the lowest power consumption of LSIs at the given operating speed is described in this paper. Through having a 3V single power supply, a DSP core always operates at a minimum voltage satisfying the required operating speed by incorporating a newly developed power management unit (including a variable delay module, an internal voltage detector, a DC/DC converter, and level shifters). Moreover, a low voltage, a high speed operation and a low standby current are realized by multi-threshold-voltage CMOS (MTCMOS) technology. As a result, the DSP core has been designed successfully to attain 20MHz operation at 1.2V internal voltage with a power consumption of 12mW that is 1/5 of the conventional's. |
キーワード(和) | 低消費電力 / パワーマネジメント技術 / MTCMOS |
キーワード(英) | lowest Power consumption / lean power management technique / MTCMOS |
資料番号 | ED97-48 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 1997/6/19(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 最小消費電力動作を実現するパワーマネジメント手法の提案 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | A Lean Power Management Technique : The lowest power consumption for the given operating speed of LSIs |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 低消費電力 / lowest Power consumption |
キーワード(2)(和/英) | パワーマネジメント技術 / lean power management technique |
キーワード(3)(和/英) | MTCMOS / MTCMOS |
第 1 著者 氏名(和/英) | 中平 博幸 / Hiroyuki NAKAHIRA |
第 1 著者 所属(和/英) | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
第 2 著者 氏名(和/英) | 崎山 史朗 / Shiro SAKIYAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
第 3 著者 氏名(和/英) | 福田 大 / Masaru FUKUDA |
第 3 著者 所属(和/英) | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
第 4 著者 氏名(和/英) | 山本 明 / Akira YAMAMOTO |
第 4 著者 所属(和/英) | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
第 5 著者 氏名(和/英) | 木下 雅善 / Masayoshi KINOSHITA |
第 5 著者 所属(和/英) | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
第 6 著者 氏名(和/英) | 楠本 馨一 / Keiichi KUSUMOTO |
第 6 著者 所属(和/英) | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
第 7 著者 氏名(和/英) | 松澤 昭 / Akira MATSUZAWA |
第 7 著者 所属(和/英) | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
第 8 著者 氏名(和/英) | 山本 裕雄 / Hiroo YAMAMOTO |
第 8 著者 所属(和/英) | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
第 9 著者 氏名(和/英) | 松谷 康之 / Yasuyuki MATSUYA |
第 9 著者 所属(和/英) | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Lab. |
第 10 著者 氏名(和/英) | 武藤 伸一郎 / Shin'ichiro MUTOH |
第 10 著者 所属(和/英) | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Lab. |
第 11 著者 氏名(和/英) | 西野 豊 / Yutaka NISHINO |
第 11 著者 所属(和/英) | ヒューマンインターフェース研究所 NTT Human Interface Lab. |
第 12 著者 氏名(和/英) | 桜井 哲真 / Tetsuma SAKURAI |
第 12 著者 所属(和/英) | ヒューマンインターフェース研究所 NTT Human Interface Lab. |
発表年月日 | 1997/6/19 |
資料番号 | ED97-48 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 110 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 8 |
発行日 |