| 講演名 | 1997/6/19 0.5V単一電源動作を実現するための回路技術 岩田 徹, 寺田 裕, 赤松 寛範, 松澤 昭, 山内 寛行, |
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| 抄録(和) | 電源電圧1Vの動作を効率よく実現するGate-Over-Driving CMOS(GO-CMOS)Archi-tectureを提案する. 特長は以下の2点である. 1)負荷が小さな部分に関しては, 超低しきい値(-0.1Vかそれ以下)トランジスタを用いる代わりに昇圧電源を印加する. 2)重い負荷を駆動するドライバ回路に関しては, ポンプ回路の過度の負担を避けるために, ゲートのみを昇圧し, ドライバの電源は昇圧せずに外部から直接供給する. GO-CMOSによって, 電源電圧0.5Vにおいて従来の2倍の高速動作, 或いは従来比1/15の低消費電力を実現した. |
| 抄録(英) | This paper present "Gate-Over-Driving CMOS (GO-CMOS) Architecture" for sub-1V operation. The key feature are as follows, (1) instead of using a very low Vt (-0.1V or less) for all transistors, the power supply voltage is boosted for logic circuitry with a small load capacitance; (2) the gate voltage of the driver transistors is boosted to drive the heavily loaded output nodes. Power is supplied to the driver transistors directly from the external supply voltage to avoid stressing the embedded charge pump circuit. GO-CMOS achieves 1/2 gate delay time or 1/15 power dissipation in 0.5V operation. |
| キーワード(和) | sub-1V / 低しきい値 / ポンプ回路 / 低消費電力 |
| キーワード(英) | sub-1V / low Vt / charge pump / low power dissipation |
| 資料番号 | ED97-47 |
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| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/6/19(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 0.5V単一電源動作を実現するための回路技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Circuit Techniques for 0.5V Single Power Supply Operated Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | sub-1V / sub-1V |
| キーワード(2)（和/英） | 低しきい値 / low Vt |
| キーワード(3)（和/英） | ポンプ回路 / charge pump |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / low power dissipation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩田 徹 / Toru Iwata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Corporate Semiconductor Development Division Matsushita Electric Industrial C0.,LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 寺田 裕 / Yutaka Terada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Corporate Semiconductor Development Division Matsushita Electric Industrial C0.,LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤松 寛範 / Hironori Akamatsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Corporate Semiconductor Development Division Matsushita Electric Industrial C0.,LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松澤 昭 / Akira Matsuzawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Corporate Semiconductor Development Division Matsushita Electric Industrial C0.,LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山内 寛行 / Hiroyuki Yamauchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体開発本部 Corporate Semiconductor Development Division Matsushita Electric Industrial C0.,LTD. |
| 発表年月日 | 1997/6/19 |
| 資料番号 | ED97-47 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |