| 講演名 | 1997/6/19 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ 鈴木 晃治朗, 三田 真二, 藤田 哲也, 山根 史之, 佐野 文彦, 千葉 明彦, 渡辺 吉規, 松田 光司, 前田 健夫, 黒田 忠広, |
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| 抄録(和) | 可変電原電圧(VS)方式とVTCMOSとを用いて, 300MIPS/WのRISCプロセッサを開発した. ここで提案したVS方式とは, 3.3Vの外部電圧をDC-DCコンバータを用いて降圧し, 与えられた動作周波数に応じて, 回路が動作する必要最小限の内部電圧を自動生成する手法である. チップの外からみれば3.3V単一電源のチップに見えるが, 内部で電圧を下げることにより低電力化を実現している. 過去に設計したRISCプロセッサのレイアウトに対し,基板コンタクトの部分以外には修正を加えずに, MIPS/Wで表される性能を2倍以上に改善した. さらに, VS方式が電源電圧の揺らぎを補償できることを示した. |
| 抄録(英) | A 300MIPS/W RISC core processor with variable supply-voltage (VS) scheme in variable threshold-voltage CMOS (VTCMOS) is presented. From a 3.3V extemal supply the VS scheme automatically generates minimum internal supply voltages which can meet the demand on its operation frequency. This chip needs only 3.3V power supply, but low-power operation can be achieved by lowering the supply-voltage with on-chip DC-DC converter. Performance in MIPS/W can be improved by a factor of more than two with no modification in the RISC core except substrate contacts for the VICMOS. It is also demonstrated that the VS scheme is immune from supply-voltage fluctuations. |
| キーワード(和) | DC-DCコンバータ / VS方式 / 可変電源電圧 / 低消費電力 / RISCプロセッサ / 可変闘値電圧 |
| キーワード(英) | DC-DC converter / VS scheme / variable supply-voltage / low-power / RISC processor / VICMOS |
| 資料番号 | ED97-46 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/6/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 可変電源電圧(VS)方式による300MIPS/W VTCMOS RISCプロセッサ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 300 MIPS/W RISC Core Processor with Variable Supply-Voltage Scheme in Variable Threshold-Voltage CMOS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DC-DCコンバータ / DC-DC converter |
| キーワード(2)（和/英） | VS方式 / VS scheme |
| キーワード(3)（和/英） | 可変電源電圧 / variable supply-voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / low-power |
| キーワード(5)（和/英） | RISCプロセッサ / RISC processor |
| キーワード(6)（和/英） | 可変闘値電圧 / VICMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 晃治朗 / Kojiro Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝, システムLSI技術研究所 System ULSI Eng. Lab., Toshiba Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三田 真二 / Shinji Mita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝, システムLSI技術研究所 System ULSI Eng. Lab., Toshiba Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤田 哲也 / Tetsuya Fujita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝, システムLSI技術研究所 System ULSI Eng. Lab., Toshiba Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山根 史之 / Fumiyuki Yamane |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝, システムLSI技術研究所 System ULSI Eng. Lab., Toshiba Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐野 文彦 / Fumihiko Sano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) System LSI Development Division, Toshiba Micro Electronics Corp. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 千葉 明彦 / Akihiko Chiba |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) System LSI Development Division, Toshiba Micro Electronics Corp. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 渡辺 吉規 / Yoshinori Watanabe |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) System LSI Development Division, Toshiba Micro Electronics Corp. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 松田 光司 / Koji Matsuda |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東芝マイクロエレクトロニクス(株) System LSI Development Division, Toshiba Micro Electronics Corp. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 前田 健夫 / Takeo Maeda |
| 第 9 著者 所属（和/英） | (株)東芝 Semiconductor Group, Toshiba Corp. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 黒田 忠広 / Tadahiro Kuroda |
| 第 10 著者 所属（和/英） | (株)東芝システムLSI技術研究所 System ULSI Eng. Lab., Toshiba Corp. |
| 発表年月日 | 1997/6/19 |
| 資料番号 | ED97-46 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |