講演名 1997/6/19
高速通信用LSIにおけるSOI/CMOS 回路設計技術
廣田 尊則, 上田 公大, 和田 佳樹, 前田 茂伸, 益子 耕一郎, 浜野 尚徳,
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抄録(和) 本報告では, 高速通信用LSIを実現するためのS0I/CM0S回路設計技術について述べる. SOI/CMOSデバイスの高速, 低電力のメリットを十分に引き出すためには, 小さなFO (ファンアウト)負荷で且つ短い配線で回路プロックを構成する必要があり, またパストランジスタロジックが有効であると考えられる. これらの検討結果をもとに, フリップフロップ回路とバッファ回路を提案する. 0.35μmプロセスにより1/8分周器と4ビットDEMUXを試作した結果, 電源電圧2.0Vにおいて, それぞれ2.8GHz, 1.6GHzの高速動作を確認した.
抄録(英) This paper compares circuit features between SOI/CMOS and bulk/CMOS devices to realize high-speed communication LSIs. It is required to design circuits with small fan outs and short wires to take advantage of low-power and high-speed SOI/CMOS devices to their fullest. Also, a pass transistor logic is suitable to take the advantages of SOI/CMOS devices. Based on these results, we propose a new flip-flop circuit and a buffer circuit for high-speed communication LSIs. An 8-bit frequency divider and a 4-bit demultiplexer were fabricated using the proposed circuits and 0.35μm process. The 8-bit divider and the 4-bit demultiplexer operated at 2.8GHz and 1.6GHz, respectively, at 2.0V.
キーワード(和) マルチプレクサ / デマルチプレクサ / CMOSデバイス / SOI/CMOSデバイス / 低電力 / 高速
キーワード(英) multiplexer / demultiplexer / CMOS device / SOI/CMOS device / low-power / high-speed
資料番号 ED97-43
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 1997/6/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高速通信用LSIにおけるSOI/CMOS 回路設計技術
サブタイトル(和)
タイトル(英) SOI/CMOS Circuit Design for High-speed Communication LSIs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) マルチプレクサ / multiplexer
キーワード(2)(和/英) デマルチプレクサ / demultiplexer
キーワード(3)(和/英) CMOSデバイス / CMOS device
キーワード(4)(和/英) SOI/CMOSデバイス / SOI/CMOS device
キーワード(5)(和/英) 低電力 / low-power
キーワード(6)(和/英) 高速 / high-speed
第 1 著者 氏名(和/英) 廣田 尊則 / Takanori HIROTA
第 1 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)システムLSI開発研究所
System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
第 2 著者 氏名(和/英) 上田 公大 / Kimio UEDA
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)システムLSI開発研究所
System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
第 3 著者 氏名(和/英) 和田 佳樹 / Yoshiki WADA
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)システムLSI開発研究所
ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
第 4 著者 氏名(和/英) 前田 茂伸 / Shigenobu MAEDA
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機(株) ULSI開発研究所
System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
第 5 著者 氏名(和/英) 益子 耕一郎 / Koichiro MASHIKO
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)システムLSI開発研究所
System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
第 6 著者 氏名(和/英) 浜野 尚徳 / Hisanori HAMANO
第 6 著者 所属(和/英) 三菱電機(株)システムLSI開発研究所
System LSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp.
発表年月日 1997/6/19
資料番号 ED97-43
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 110
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日