講演名 1997/7/25
Effects of Low Temperature Interlayer Dielectric Films on the Gate Oxide Quality of Deep Submicron MOSFET's
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抄録(和)
抄録(英) We investigate TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) chracteristics of MOSFETs due to diffusion of hydrogen related species during ILD (Inter-Layer-Dielectric) processing. The ILD films dependent on electron trap generation rate and mobile ion were measured by constant current FN stress method and BTS (Bias Temperature Stress). The results show that the HLD/BPSG and PETEOS/BPSG structure cause more defects inside the gate oxide than the PETEOS/USG. The effect of mobile ion shows no noticeable difference in different dielectric structures. Also, the PETEOS/USG structure shows enhanced gate oxide lifetime but more device degradation possibly due to poor quality Si-SiO_2 interface due to the lower process temperature.
キーワード(和)
キーワード(英) Constant Current Stress / Bias Temperature Stress / Electron Trapping Rate, Mobile Ion.
資料番号 ICD97-93
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 1997/7/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Effects of Low Temperature Interlayer Dielectric Films on the Gate Oxide Quality of Deep Submicron MOSFET's
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Constant Current Stress
第 1 著者 氏名(和/英) / sang-Gi Lee
第 1 著者 所属(和/英)
Dept. of Physics Hanyang Univ.
発表年月日 1997/7/25
資料番号 ICD97-93
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 198
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日