| 講演名 | 1997/7/25 チャネルアモルファス化による浅いカウンタドープ層を有するpMOSデバイスの特性 三宅 雅保, |
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| 抄録(和) | pMOSの浅いBチャネルドープ膚形成のための技術であるチャネルアモルファス化(CP)について述べる. CPにより, イオン注入時のチャネリングだけではなく, アニール時の増速拡散も抑えられるために, 浅いBドープ層を形成することができる. このため, CPにより, pMOSの短チャネル効果が抑えられる. また, CPによリゲート酸化膜の品質が向上する. これはもとのa/c界面付近にできる結晶欠陥のゲッタリング効果によると考えられる. 一方, S/Dのリーク電流は増加するが, この問題は, アモルファス化の深さを深くするか, S/Dの接合深さを浅くすることで解決可能と考えられる. |
| 抄録(英) | Channel preamorphization (CP), a technique used for shallow boron channel doping of pMOSFETs, is reviewed. Shallow boron-doped layers can be obtained by CP because boron channeling in ion implantation and enhanced diffusion arising from ion implantation damage are prevented. Owing to the shallow boron-doped channel layers, CP suppresses the short-channel effects of pMOSFETs. CP improves gate oxide quality in MOS capacitors with the field-edge structure due to the gettering effects of defects induced near the original amorphous/crystalline interface. The leakage current of junction diodes, on the other hand, is increased by CP. This problem will be overcome by increasing the preamorphization depth or reducing the junction depth of source/drain. |
| キーワード(和) | チャネルアモルファス化 / pMOS / 短チャネル効果 / ゲート酸化膜 / 接合リーク |
| キーワード(英) | channel preamorphization / pMOS / short-channel effect / gate oxide / junction leakage |
| 資料番号 | ICD97-92 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/25(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | チャネルアモルファス化による浅いカウンタドープ層を有するpMOSデバイスの特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of buried-channel pMOS devices with shallow counter-doped layers fabricated using channel preamorphization |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | チャネルアモルファス化 / channel preamorphization |
| キーワード(2)（和/英） | pMOS / pMOS |
| キーワード(3)（和/英） | 短チャネル効果 / short-channel effect |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート酸化膜 / gate oxide |
| キーワード(5)（和/英） | 接合リーク / junction leakage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三宅 雅保 / Masayasu Miyake |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 発表年月日 | 1997/7/25 |
| 資料番号 | ICD97-92 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 198 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |