| 講演名 | 1997/7/25 EVALUATION OF SOI WAFERS USING C-V CHARACTERISTICS OF THIN-FILM MOS CAPACTOR , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Various types of SOI (Silicon-on-Insulator) wafers have been evaluated using C-V technique to measure thickness of silicon film. SOI film thickness mapping was made on various types of SOI wafers. Also, threshold voltage variation across a wafer was correlated with SOI film thickness variation which is extracted from measured C-V characteristics. It was found that SOI wafers based on a bonding technology showed higher film thickness variation than SIMOX (Separated by Implanted Oxygen) SOI wafers. There exists a relationship among SOI film thickness, threshold voltage, and channel doping. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SOI / SIMOX / Bonding / Thickness / Uniformity |
| 資料番号 | ICD97-91 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | EVALUATION OF SOI WAFERS USING C-V CHARACTERISTICS OF THIN-FILM MOS CAPACTOR |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SOI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jong-Wook Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Advanced Device Dept. 2, Memory R&D Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1997/7/25 |
| 資料番号 | ICD97-91 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 198 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |