| 講演名 | 1997/7/25 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET 山本 豊二, 小倉 卓, 斉藤 幸重, 上沢 謙一, 辰巳 徹, 最上 徹, |
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| 抄録(和) | 低電圧動作高性能CMOSデバイスを実現するにはゲート絶縁膜の薄膜化が必須である. 薄膜化に伴い, P^+ゲートPMOSのゲート電極中のボロンが絶縁膜を突き抜けることでデバイス特性を変動させたり信頼性が低下する等, 様々な問題が顕在化している. 我々はシリコン直接窒化+ウェット酸化法という窒素を多量に含んだ新しい極薄酸窒化膜の形成方法を提案し, MOSFET特性の評価を行った. その結果, 2.5nmの薄膜でPMOSのボロン突き抜けを抑制できること, NMOSのホットキャリア信頼性が向上すること, 良好なオン・オフ電流特性が得られること等が分かり, 本手法で形成した酸窒化膜が有望であることを示した. |
| 抄録(英) | Ultrathin gate dielectrics are important to realize high performance and low-voltage operation CMOS devices. An advanced ultrathin gate dielectric formation process, that is, direct nitridation of silicon and sequential oxidation, is proposed and evaluated to suppress boron penetration and to improve hot-carrier reliabiliry. No boron penetration, longer hot-carrier lifetime and high drain current are achieved in MOSFETs with 2.5nm oxidized nitride gate dielectric. |
| キーワード(和) | MOSFET / ゲート絶縁膜 / ボロン突き抜け / ホットキャリア効果 |
| キーワード(英) | MOSFET / Gate Dielectric / Boron Penetration / Hot-Carrier Effect |
| 資料番号 | ICD97-85 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Highly Reliable 0.25μm MOSFETs with Ultra-Thin Oxidized Nitride Gate Dielectric |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate Dielectric |
| キーワード(3)（和/英） | ボロン突き抜け / Boron Penetration |
| キーワード(4)（和/英） | ホットキャリア効果 / Hot-Carrier Effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 豊二 / Toyoji Yamamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小倉 卓 / Takashi Ogura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 斉藤 幸重 / Yukishige Saito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上沢 謙一 / Ken'ichi Uwasawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 辰巳 徹 / Toru Tatsumi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 最上 徹 / Toru Mogami |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 Microelectronics Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1997/7/25 |
| 資料番号 | ICD97-85 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 198 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |