| 講演名 | 1997/7/25 Application of PECVD-WNx Electrode for Ta_2O_5 Capacitor , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | PECVD-WNx films have been developed for the upper elatrode of Ta_2O_5 capacitor in ULSI DRAMs. In this paper, the electrical characterization of PECVD-WNx/Poly-Si electrode was performed in a cylinderically shaped structure. Cell capacitance of PECVD-WNx electrode is a little lower than that of TiN electrode, which is probably owing to the reaction between Ta_2O_5 and WNx during subsequent process of high temperature. However, in an aspect of cell leakage current, WNx electrode shows lower value by an order of magnitude than PVD-TiN electrode. This lower leakage current is attributed to the better comformality of PECVD-WNx electrode compared to PVD-TiN, which is confirmed by TEM micrographs. It is demonstrated that PECVD-WNx can be a good upper electrode in complicated Ta_2O_5 capacitor storage nodes of ULSI DRAMs. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | PECVD-WNx / Ta_2O_5 / Capacitor / Lakage Current / Step Coverage / ULSI DRAM |
| 資料番号 | ICD97-84 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/25(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of PECVD-WNx Electrode for Ta_2O_5 Capacitor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / PECVD-WNx |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Byung-Lyul Park |
| 第 1 著者 所属（和/英） | LS Process Development Group, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., LTD.0 |
| 発表年月日 | 1997/7/25 |
| 資料番号 | ICD97-84 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 198 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |