講演名 | 1997/7/25 Application of PECVD-WNx Electrode for Ta_2O_5 Capacitor , |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | |
抄録(英) | PECVD-WNx films have been developed for the upper elatrode of Ta_2O_5 capacitor in ULSI DRAMs. In this paper, the electrical characterization of PECVD-WNx/Poly-Si electrode was performed in a cylinderically shaped structure. Cell capacitance of PECVD-WNx electrode is a little lower than that of TiN electrode, which is probably owing to the reaction between Ta_2O_5 and WNx during subsequent process of high temperature. However, in an aspect of cell leakage current, WNx electrode shows lower value by an order of magnitude than PVD-TiN electrode. This lower leakage current is attributed to the better comformality of PECVD-WNx electrode compared to PVD-TiN, which is confirmed by TEM micrographs. It is demonstrated that PECVD-WNx can be a good upper electrode in complicated Ta_2O_5 capacitor storage nodes of ULSI DRAMs. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | PECVD-WNx / Ta_2O_5 / Capacitor / Lakage Current / Step Coverage / ULSI DRAM |
資料番号 | ICD97-84 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
---|---|
開催期間 | 1997/7/25(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
---|---|
本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Application of PECVD-WNx Electrode for Ta_2O_5 Capacitor |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / PECVD-WNx |
第 1 著者 氏名(和/英) | / Byung-Lyul Park |
第 1 著者 所属(和/英) | LS Process Development Group, Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., LTD.0 |
発表年月日 | 1997/7/25 |
資料番号 | ICD97-84 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 198 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |