| 講演名 | 1997/7/25 Shallow Trench Isolation Characteristics with High-Density-Plasma (HDP) CVD Oxide for Deep-Submicron CMOS Technologies , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | This paper systematically studies STI characteristics with deposition conditions of High Density Plasma CVD oxide gap-fill material, together with trench sidewall oxide thicknesses. The results show negligible sputter effect of HDP even with low Deposition/Sputter ratio and Si etch damage on the trench sidewall surface observed from leakage current. The leakage current is, however, mainly introduced from the weak trench top corners due to post CMP processes when they are exposed during successive HF cleanings in weak active edges. The results also show excellent isolation characteristics and narrow width effect. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Shallow Trench Isolation / Gap-Fill Material / Trench Sidewall Oxide / HDP Oxide |
| 資料番号 | ICD97-80 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Shallow Trench Isolation Characteristics with High-Density-Plasma (HDP) CVD Oxide for Deep-Submicron CMOS Technologies |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Shallow Trench Isolation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Seungho Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Advanced Technology Laboratory, LG Semicon Co., |
| 発表年月日 | 1997/7/25 |
| 資料番号 | ICD97-80 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 198 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |