| 講演名 | 1997/7/24 ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製 尹 聖民, 永田 康成, 呉 貞姫, 徳光 永輔, 石原 宏, |
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| 抄録(和) | 強誘電体ゲートFETを用いた適応学習型ニューロン回路を作製することを目的として, MOSFETと逆極性単接合トランジスタ(CUJT)を用いたパルス周波数変調型ニューロン発振回路をSOI基板上に作製した. 発振回路の出力パルス周波数はMOSFETのゲート電圧の大きさだけではなく, 入力に加えるパルス信号のデューティー比によっても制御できることを示した. 次に, シナプス結合用のMOSFETマトリックスをSOI基板上に作製し, 並列接続したMOSFETの全ドレイン電流を用いて, 積和演算機能を実証した. これらの結果は, MOSFETをMFSFETに置き換えれば, パルス周波数変調方式のニューロン回路が実現できるということを示唆している. |
| 抄録(英) | A PFM (pulse frequency modulation) -type neuron circuit composed of MOSFET and CUJT (omplementary unijunction transistor) was fabricated on an SOI (silicon-on-insulator) structure, as an approach to the adaptive learning neuron circuit using ferroelectric-gate FET. The output pulse interval was found to be controlled by changing the pulse duty ratio of input signals as well as the magnitude of DC input voltage. Next, MOSFET matrix arrays for the synaptic connection were also fabricated on SOI structure and the weighted sum operation was demonstarated using the total drain current in parallel connection of MOSFETs. It is concluded from these results that the electrical properties of MOSFET neuron circuit and MOSFET matrix array are good enough for the future neural network using ferroelectric gate FET. |
| キーワード(和) | 絶縁物上シリコン(SOI) / ニューロン回路 / 逆極性単接合トランジス / MOSFETマトリックス |
| キーワード(英) | silicon-on-insulator(SOI) / neuron circuit / complementary unijunction transistor(CUJT) / MOSFET matrix |
| 資料番号 | ICD97-69 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ニューロン回路用発振回路とMOSFETマトリックスのSOI基板上への作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of oscillation circuits and MOSFET matrix arrays on SOI structures for neural network applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 絶縁物上シリコン(SOI) / silicon-on-insulator(SOI) |
| キーワード(2)（和/英） | ニューロン回路 / neuron circuit |
| キーワード(3)（和/英） | 逆極性単接合トランジス / complementary unijunction transistor(CUJT) |
| キーワード(4)（和/英） | MOSFETマトリックス / MOSFET matrix |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 尹 聖民 / S. M. Yoon |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision & Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永田 康成 / Y. Nagata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision & Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 呉 貞姫 / J. H. Oh |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision & Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 徳光 永輔 / E. Tokumitsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision & Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石原 宏 / H. Ishiwara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 精密工学研究所 Precision & Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | ICD97-69 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 197 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |