| 講演名 | 1997/7/24 DRAMデータ保持時間分布の統計力学解析 平岩 篤, 小笠原 誠, 夏秋 信義, 伊藤 豊, 岩井 秀俊, |
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| 抄録(和) | DRAMのメモリセルに蓄積されている電荷は, 蓄積電極につながる接合の空乏層中に存在するキャリアトラップから発生するSRH電流が原因で消失する. 同電流の大きさを決定するトラップ準位はメモリセル間のみならずセル内においても分布しており, データ保持時間分布の温度特性を支配している. 他方, 動作電圧が変化する場合にもデータ保持時間の分布幅が変化するが, これはSRH電流が空乏層中の電界により増倍されており, 電界強度がセル間で分布する結果増倍度も分布するために生ずる. したがって, リフレッシュ特性を改善するためには, 電界強度の平均値のみならずセル間の分布幅を低減することが重要である. |
| 抄録(英) | Charges stored in a DRAM memory cell are lost by the SRH current that is generated at carrier traps in a junction space-charge-region (SCR). The SRH current depends on trap levels that are distributed not only among memory cells, but also within a cell. This trap-level distribution causes the temperature-dependent variation in data retention times. The SRH current, on the other hand, is enhanced by an SCR field, and the distribution of the field among cells increases the variation in retention times. From these results we find that reduction of the electric-field distribution, as well as of the average field, is important to improve the data-retention characteristics. |
| キーワード(和) | DRAM / リフレッシュ / SRH電流 / キャリアトラップ / 電界 |
| キーワード(英) | DRAM / retention time / SRH / carrier trap / electric field |
| 資料番号 | ICD97-67 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | DRAMデータ保持時間分布の統計力学解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Statistical Origin of DRAM Data-Retention-Time Distribution |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DRAM / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | リフレッシュ / retention time |
| キーワード(3)（和/英） | SRH電流 / SRH |
| キーワード(4)（和/英） | キャリアトラップ / carrier trap |
| キーワード(5)（和/英） | 電界 / electric field |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平岩 篤 / A. Hiraiwa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 半導体事業部 Semiconductor & Integrated Circuits Div., Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小笠原 誠 / M. Ogasawara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 デバイス開発センター Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 夏秋 信義 / N. Natsuaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 デバイス開発センター Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伊藤 豊 / Y. Itoh |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 デバイス開発センター Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岩井 秀俊 / H. Iwai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 デバイス開発センター Device Development Center, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | ICD97-67 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 197 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |