| 講演名 | 1997/7/24 (窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコンによるフラッシュメモリの新規浮遊電極 金岡 竜範, 安間 正俊, 伊藤 博巳, 大野 吉和, 平山 誠, |
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| 抄録(和) | 本論文では, 次世代フラッシュメモリ用浮遊電極材料として, スケーリング則に則った(窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコン膜について議論していく. (窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコン膜は結晶化熱処理後に微細グレイン性と耐酸化性の2つの特長を示す. これらの特長により, 下部(窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコン電極の表面モフォロジは均質, かつ, 平滑となりインターポリCVD-SiO_2の信頼性は大きく改善する. 同様に, 浮遊電極寸法の変動と浮遊電極とソース領域の重なり面積の縮小を抑えることにより, 浮遊電極エッジでのトンネル酸化膜の信頼性が向上する. (窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコン膜は高集積化フラッシュメモリにおける高機能浮遊電極材料として有望である. |
| 抄録(英) | The impact of an in-situ nitrogen and phosphorus co-doped amorphous silicon as a scalable floating gate material for future flash memories is discussed. An oxidation-resistant surface with a homogeneous and smooth texture of the crystallized in-situ nitrogen and phosphorus co-doped amorphous silicon improves the reliability of the interpoly CVD-SiO_2 dielectric remarkably. The tunnel oxide at the edge of the floating gate is immune from the loss of the reliability because little loss of the gate dimension, achieved by the oxidation-resistant feature, secures an enough floating gate area overlapping with the source as designed. The in-situ nitrogen and phosphorus co-doped a-Si is a promising floating gate material that can well function in the scaled-down flash memory. |
| キーワード(和) | フラッシュメモリ / 浮遊電極 / 非晶質シリコン / 窒素添加 |
| キーワード(英) | flash memory / floating gate / amorphous silicon / nitrogen doping |
| 資料番号 | ICD97-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | (窒素+リン)同時ドープ非晶質シリコンによるフラッシュメモリの新規浮遊電極 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nitrogen and Phosphorus co-doped Amorphous Silicon as a Floating Gate of Flash Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュメモリ / flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | 浮遊電極 / floating gate |
| キーワード(3)（和/英） | 非晶質シリコン / amorphous silicon |
| キーワード(4)（和/英） | 窒素添加 / nitrogen doping |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金岡 竜範 / Tatsunori Kaneoka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機 ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安間 正俊 / Masatoshi Anma |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機 ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 博巳 / Hiromi Itoh |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機 ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大野 吉和 / Yoshikazu Ohno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機 ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 平山 誠 / Makoto Hirayama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機 ULSI開発研究所 ULSI Laboratory, Mitsubishi Electric Corp. |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | ICD97-66 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 197 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |