講演名 | 1997/7/24 Characterizations of Ferroelectric Transistors with BaMgF_4 Dielectric , |
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抄録(和) | |
抄録(英) | The structure and electrical characteristics of metal-ferroelectric-semiconductor FET (MFSFET) for single transistor memory are presented. The MFSFET comprises of polysilicon islands as source/drain electrodes and BaMgF_4 film as a gate dielectric. The polysilicon source/drain were built-up prior to the film formation to suppress a degradation due to high thermal cycle. From the MFS capacitor, the remnant polarization and coercive field were measured to be about 0.6μC/cm^2 and 100 kV/cm, respectively. The fabricated MFSFETs also showed good hysteretic I-V curves, while the current levels disperse possibly due to film cracking or bad adhesion between the film and the Al electrode. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | Polysilicon source/drain / BaMgF_4 / Remanent polarization / Ferroelectric switching |
資料番号 | ICD97-64 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ICD |
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開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | |
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タイトル(英) | Characterizations of Ferroelectric Transistors with BaMgF_4 Dielectric |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / Polysilicon source/drain |
第 1 著者 氏名(和/英) | / Jong-Son Lyu |
第 1 著者 所属(和/英) | Semiconductor Division, ETRI |
発表年月日 | 1997/7/24 |
資料番号 | ICD97-64 |
巻番号(vol) | vol.97 |
号番号(no) | 197 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |