| 講演名 | 1997/7/24 Effects of Low Resistivity TiN as a Wetting Layer on Submicron Via Contact Filling Process , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In order to improve EM immunity, multi-layered metal structures, such as Ti/Al, TiN/Al, and Ti/TiN/Al, have been employed in Al metallization process. Due to the formation of TiAl_3, and AlN between the interfaces, however, the via resistance of the structures showed higher than expected to be used in high-speed devices. In this study, the use of low resistivity TiN was applied to overcome the problem and, as a result, the Al metallization with high thermal stability and low via resistance, showing the reduction of interfacial reaction was successfully achieved. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Via / low resistivity TiN / wetting layer / TiAl_3 / AlN |
| 資料番号 | ICD97-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Low Resistivity TiN as a Wetting Layer on Submicron Via Contact Filling Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Via |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Young Jung Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Memory R&D Division, HYUNDAI Electronics Co. |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | ICD97-63 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 197 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |