| 講演名 | 1997/7/24 Cleaning Method using H_2O_2 Buffing after Selective Silicon CMP , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Patterned and Bonded SOI(PBSOI) structure poses serious challenges in post CMP cleaning process where the mixed patterns of silicon and oxide should be cleaned simultaneously. Because conventional repetitive RCA cleaning which damages the oxide pattern and degrades the surface roughness of silicon pattern is not suitable for PBSOI fabrication process, we introduced in-situ buffing with hydrogen peroxide to post CMP cleaning process for PBSOI wafers. Chemical oxide layer on the surface of silicon pattern is formed by in-situ buffing with hydrogen peroxide and it improves the ability to remove the particles on wafer. Thus, by using hydrogen peroxide, most of the particles induced by selective silicon CMP can be reduced to the acceptable levels(≤0.1ea/cm^2). |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | PBS0I / post CMP cleaning / hydrogen peroxide / in-situ buffing / selective silicon CMP |
| 資料番号 | ICD97-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cleaning Method using H_2O_2 Buffing after Selective Silicon CMP |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / PBS0I |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / G.J. Bae |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor R&D Center Samsung Electronics Co., Ltd |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | ICD97-62 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 197 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |