| 講演名 | 1997/7/24 Characteristics of MOCVD-Cu Films Using Direct Liquid Injection and the Effects of Post-annealing , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Copper metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) using a direct liquid injection system for the (hfac)Cu(VTMOS) [1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2, 4-pentadionato(vinyltrimethoxysilane)copper(I)] precursor, has been performed onto TiN, p-type <100> Si, and Si_3N_4 substrates. The influences of reaction temperature and the substrate type on the growth rate, the microstructure, and the electrical resistivity of the copper film have been discussed. To clarify the effects of post-annealing on the characteristics of MOCVD-Cu films, rapid thermal processing (RTP) of Cu/TiN/Si structures has been explored. The electrical and the microstructural characteristics of Cu on reactive sputtered TiN have been studied by observing the changes before and after RTP treatment. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Cu MOCVD / direct liquid injection / (hfac)Cu(VTMOS) precursor / post-annealing / RTP |
| 資料番号 | ICD97-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of MOCVD-Cu Films Using Direct Liquid Injection and the Effects of Post-annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Cu MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Chi-Hoon Jun |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor Technology Division, ETRI |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | ICD97-61 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 197 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |