| 講演名 | 1997/7/24 a-Si/Ti ローカル配線での相互拡散, 寄生容量低減の解析 井田 次郎, 大友 篤, 森川 剛一, 鉄田 博, |
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| 抄録(和) | ドーパントの相互拡散, 及び, 寄生容量低減の観点からa-Si/Ti方式ローカル配線の解析を行った. TiSi_2でN^+/P接合とP^+/N接合をつなぐと, P^+/N接合でのみ接合リーク電流が増大することが解った. 電気的な測定より, これは, ボロンがTiSi_2中で不動化しSiへの拡散が起こらないためと推定される. このローカル配線方式を実際の回路マクロである54bitx2Kの2ポートSRAMに適用し, 寄生容量の削減効果を調べた. マクロサイズは, 31%小さくなり, 消費電力は15.2%小さくなることが解った. さらに, この方式の特徴である接合容量の低減により, 低電源電圧下で消費電力削減効果が大きいことを実証した. |
| 抄録(英) | The a-Si/Ti local wiring technology is characterized from the viewpoints of dopant interdiffusion behavior and parasitics reduction. It was founded that only p+/njunction degrades with the TiSi2 local wiring connecting n+layer and p+layer. The results of electrical measurement with a set of new test patterns suggest the reason, that is, the boron dose not diffuse from TiSi_2 to Sidue to high efficiency of TiB formation. The effect of parasitics reduction on the practical circuit of the 54bit x 2K dual-port SRAM macro was comparatively analyzed with and without TiSi2 local wiring scheme. The area reduction of 31% and the total power reduction of 15.2% was obtained. It was emphasized the reduction of junction capacitance with the local wiring scheme is beneficial to low voltage / low power circuit applications in sub half micron CMOS. |
| キーワード(和) | TiSi_2 / ローカル配線 / サリサイド / SRAM |
| キーワード(英) | TiSi2 / local wiring / salicide / SRAM |
| 資料番号 | ICD97-57 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | a-Si/Ti ローカル配線での相互拡散, 寄生容量低減の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of Dopant Interdiffusion and Parasitics Reduction on a-Si/Ti Local Wiring Scheme |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TiSi_2 / TiSi2 |
| キーワード(2)（和/英） | ローカル配線 / local wiring |
| キーワード(3)（和/英） | サリサイド / salicide |
| キーワード(4)（和/英） | SRAM / SRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井田 次郎 / Jiro Ida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業 超LSI研究開発センター VLSI R&D Center, OKI Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大友 篤 / Atsushi Ohtomo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業 超LSI研究開発センター VLSI R&D Center, OKI Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森川 剛一 / Kouichi Morikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業 超LSI研究開発センター VLSI R&D Center, OKI Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鉄田 博 / Hiroshi Onoda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業 超LSI研究開発センター VLSI R&D Center, OKI Electric Industry Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | ICD97-57 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 197 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |