| 講演名 | 1997/7/24 TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討 中村 友二, 富田 博文, 池田 和人, |
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| 抄録(和) | Si基板へのプリアモルファス化注入(PAI)が, TiSi_2のC49-C54相変態に及ぼす効果について調べた. まず, PAI処理によりC49-TiSi_2の結晶粒径が微細化され, 結晶粒径が小さいほどC49-C54相変態速度が速くなることを示した. 次に, C49結晶粒と基板Siとの配向関係に着目し, PAI処理により配向性が変化すること, および配向性の低い試料ほど速い相変態速度が得られることを示した. 以上の結果から, PAIによるTiSi_2の低抵抗化の促進に, 相変態を抑制する配向関係の減少の影響が考えられることを示した. |
| 抄録(英) | The effects of pre-amorphization implantation (PAI) on the TiSi_2 C49-C54 transformation has been studied. The PAI treatment noticeably decreases the C49 grain size and the smaller C49-grain sample shows faster transformation to C54-TiSi_2. According to the orientational analysis of C49-TiSi_2 grains to the Si(001) substrate, the PAI treatment suppresses the epitaxial growth of C49-TiSi_2 on Si (001) substrate and the poorer orientational alignment of C49-TiSi_2 causes a more rapid transformation to C54-TiSi_2. We believe this suppression of epitaxial alignment is a possible mechanism to understand the effect of the PAI treatment on the C49-C54 transformation. |
| キーワード(和) | チタンシリサイド / TiSi_2 / C49 / C54 / 相変態 / プリアモルフアス化注入 |
| キーワード(英) | TitaniLlm silicide / TiSi2 / C49 / C54 / Phase transformation / Pre-amorphization |
| 資料番号 | ICD97-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | TiSi_2の結晶粒径と配向性がC49-C54相変態に与える影響 : プリアモルファス化注入による相変態促進機構の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of grain size and crystalline orientation on the TiSi_2 C49-C54 transformation : Mechanism of pre-amorphization implantation effects in the TiSi_2 C49-C54 transformation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | チタンシリサイド / TitaniLlm silicide |
| キーワード(2)（和/英） | TiSi_2 / TiSi2 |
| キーワード(3)（和/英） | C49 / C49 |
| キーワード(4)（和/英） | C54 / C54 |
| キーワード(5)（和/英） | 相変態 / Phase transformation |
| キーワード(6)（和/英） | プリアモルフアス化注入 / Pre-amorphization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 友二 / Tomoji Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 材料技術研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., Materials & Materials Engineering Labs. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 富田 博文 / Hirofumi Tomita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 材料技術研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., Materials & Materials Engineering Labs. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池田 和人 / Kazuto Ikeda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 材料技術研究所 Fujitsu Laboratories Ltd., Materials & Materials Engineering Labs. |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | ICD97-56 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 197 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |