| 講演名 | 1997/7/24 The Study on the Reaction Mechanism of HDP-SiOF Film and Inter-Metal-Dielectric Application , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The fluorine-doped silicon oxide (SiOF) as a low dielectric material is formed by high density plasma (HDP) chemical vapor deposition (CVD) method using SiH4, SiF4, O2 and Ar as source gases. We studied the reaction mechanism of HDP-SiOF film formation, and evaluated the gap-fill characteristics and parasitic capacitance between metal lines for inter-metal dielectric (IMD) application. SiF4 gas is not only source of Si-F bond in SiOF film but also have in-situ chemically etching characteristics. In case of insufficient amount of O_2 flux, the unstable Si-F_2 bonds were formed in the HDP-SiOF film. The dielectric constant of HDP-SiOF film could be reduced by 23% compared to fhat of PE-TEOS oxide film. Using HDP-SiOF film as gap-filling material in IMD, the gap was completely filled at the aspec ratio below 2.0 and the parasitic capacitance between metal lines could be reduced by 15% compared to that of USG process. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SiOF / HDP-CVD / low dielectric film / planarization / IMD / Logic |
| 資料番号 | ICD97-55 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Study on the Reaction Mechanism of HDP-SiOF Film and Inter-Metal-Dielectric Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SiOF |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Hong-Jae Shin |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics Co., LTD. |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | ICD97-55 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 197 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |