| 講演名 | 1997/5/22 A 4-level Storage 4Gb DRAM 俣野 達哉, 成竹 功夫, 大月 哲也, 室谷 樹徳, 笠井 直記, 古賀 洋貴, 小山 邦明, 中島 謙, 山口 弘, 渡部 博士, 奥田 高, |
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| 抄録(和) | 大容量DRAMに適した新しい多値回路技術の採用により、4GbDRAMを開発した。多値センス・書き込み回路、時分割共有センス方式を用いることで、チップサイズは大容量にもかかわらず985.6mm^2に抑制され、データ転送速度は1GB/secを達成した。 |
| 抄録(英) | A 4GbDRAM has been developed by new circuit design techniques to achieve large capacity without increasing the chip size. New sense and restore circuit techniques are a charge coupling sense amplifier, a charge sharing restore scheme, and a time shared sensing scheme. The chip size is 985.6mm^2 and 1 GB/sec data rate is achieved. |
| キーワード(和) | ダイナミックラム / 多値 / 時分割共有センス |
| キーワード(英) | DRAM / multi-level / time shared sensing |
| 資料番号 | ICD97-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 1997/5/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 4-level Storage 4Gb DRAM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイナミックラム / DRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 多値 / multi-level |
| キーワード(3)（和/英） | 時分割共有センス / time shared sensing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 俣野 達哉 / Tatsuya MATANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 成竹 功夫 / Isao NARITAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大月 哲也 / Tetsuya OTSUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 室谷 樹徳 / Tatsunori MUROTANI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 笠井 直記 / Naoki KASAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 古賀 洋貴 / Hiroki KOGA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 小山 邦明 / Kuniaki KOYAMA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 中島 謙 / Ken NAKAJIMA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 山口 弘 / Hiroshi YAMAGUCHI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 渡部 博士 / Hiroshi WATANABE |
| 第 10 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 奥田 高 / Takashi OKUDA |
| 第 11 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC Corporation, ULSI Device Development Labs. |
| 発表年月日 | 1997/5/22 |
| 資料番号 | ICD97-16 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |