| 講演名 | 2002/9/23 モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 土屋 英昭, 三好 旦六, |
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| 抄録(和) | ナノスケールに微細化された半導体デバイスでは,キャリア輸送の量子力学的効果が重要な役割を果たす。本稿では,キャリア輸送モデリングにおける量子力学的補正について,密度勾配モデルと有効ポテンシャルモデルを取り上げ,モンテカルロシミュレーションへの適用結果を基に,両モデルの妥当性並びに長所と短所を検証する。さらに,両モデルを結合させた新しい手法を提案し,ナノスケールMOSFETへの適用を試みる。シリコンの伝導帯バンド構造の異方性を考慮した反転層キャリアの量子閉じ込め効果や,ゲート酸化膜内へのキャリア滲み出し効果等の計算例を紹介する。 |
| 抄録(英) | Quantum mechanical effects of carrier transport can play an important role in scaled semi-classical devices into nanometer regime. In this paper, we will discuss quantum mechanical corrections of potential in carrier transport modeling, where a density-gradient-based approach and an effective-potential-based approach are carefully compared. We show strengths and weaknesses of those approaches by demonstrating simulation results using a Monte Carlo method, and then propose a new approach that couples them. The new approach is applied to a nano-scale MOSFET and shown to be a practical way to describe quantum confinement effects considering the an-isotropic nature of Si conduction electrons, and also tunneling behavior leaking into a gate oxide layer. |
| キーワード(和) | ナノ構造デバイス / 量子力学的効果 / 量子補正 / モンテカルロシミュレーション |
| キーワード(英) | nano-scaled devices / quantum mechanical effects / quantum correction / Monte Carlo simulation |
| 資料番号 | SDM2002-176 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/9/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum Mechanical Corrections in Monte Carlo Device Simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノ構造デバイス / nano-scaled devices |
| キーワード(2)（和/英） | 量子力学的効果 / quantum mechanical effects |
| キーワード(3)（和/英） | 量子補正 / quantum correction |
| キーワード(4)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土屋 英昭 / Hideaki TSUCHIYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三好 旦六 / Tanroku MIYOSHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 発表年月日 | 2002/9/23 |
| 資料番号 | SDM2002-176 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |