| 講演名 | 2002/9/23 MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 領家 弘典, 鎌倉 良成, 谷口 研二, |
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| 抄録(和) | バルクSiおよびMOSFET反転層における電子輸送を、分子動力学(MD)法を取り入れたアンサンブルモンテカルロ(EMC)シミュレーションを用いて解析した。この計算手法では、電子と陰イオンの2つの点電荷間におけるCoulomb相互作用を直接的に取り入れる。本報告では、Coulomb相互作用の遮蔽効果が移動度に与える効果をMD/EMC法が反映できることを示す。さらに、Si-MOSFET中の反転層移動度の垂直実効電界依存性を計算し、閾値電圧近傍における移動度ロールオフ現象を再現することを試みる。 |
| 抄録(英) | Electron transport in bulk Si and MOSFET inversion layers is studied using an ensemble Monte Carlo (EMC) technique coupled with the molecular dynamics (MD) method. The coulomb interactions among point charges (electrons and negative ions) are directly taken into account in the simulation. It is demonstrated that the static screening of coulomb interactions is correctly simulated by the EMC/MD method. Furthermore, we calculate the inversion layer mobility in Si MOSFETs, and mobility roll-off near the threshold voltage is observed by the present approach. |
| キーワード(和) | モンテカルロシミュレーション / 分子動力学法 / 移動度 / 散乱 / MOSFET |
| キーワード(英) | Monte Carlo simulation / molecular dynamics / mobility / screening / MOSFET |
| 資料番号 | SDM2002-175 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/9/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation of inversion layer mobility roll-off by using molecular dynamics/Ensemble Monte Carlo (MD/EMC) method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | モンテカルロシミュレーション / Monte Carlo simulation |
| キーワード(2)（和/英） | 分子動力学法 / molecular dynamics |
| キーワード(3)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 散乱 / screening |
| キーワード(5)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 領家 弘典 / Hironori RYOUKE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部 Department of Electronics and Information Systems, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鎌倉 良成 / Yoshinari KAMAKURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部 Department of Electronics and Information Systems, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷口 研二 / Kenji TANIGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学工学部 Department of Electronics and Information Systems, Osaka University |
| 発表年月日 | 2002/9/23 |
| 資料番号 | SDM2002-175 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |