| 講演名 | 2002/9/23 統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 北原 義之, 高木 茂行, 鳥山 周一, 佐野 伸行, |
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| 抄録(和) | ポリシリコンの結晶粒径のばらつきを考慮した,より現実の系に近い大規模なドリフト拡散シミュレーションで,ポリシリコンTFTのデバイスシミュレーションにおけるしきい値電圧(Vth)ばらつきを定量的に評価した.その結果,Vthは粒界の位置により影響を受けるため,粒界が空間的に局在している一般的な粒界モデルによるデバイス特性の定量的な評価には注意が必要であることがわかった.また,粒径のばらつきに起因するVthばらつきは,長チャネルの場合はデバイスに含まれる粒界の本数の影響が支配的だが,素子微細化に伴い,粒界位置のばらつきによる影響が顕在化することがわかった. |
| 抄録(英) | We have investigated the variation of threshold voltage (Vth) associated with grain size fluctuations in poly -Si TFTs via large-scale Drift-Diffusion device simulations. It is shown that Vth and device characteristics are critically dependent of the size and position of grains assumed in simulations and, thus, the previous simulation results using the grain boundary model in which the grains are assumed to be localized in space should be interpreted with great ca re. In particular, this situation becomes more actualized as the channel length in TFTs becomes shorter. In such cases, Vth becomes critically dependent of the position of grain boundary even when the number of grains is the same. |
| キーワード(和) | Poly-Si TFT / 統計的解析 / デバイスシミュレーション / 結晶粒界 / Vthばらつき / 粒界モデル |
| キーワード(英) | Poly-Si TFT / Statistical Analysis / Device Simulation / Grain Boundary / Variation in Vth / Grain Boundary Model |
| 資料番号 | SDM2002-173 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/9/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Statistical Analyses of the Influence of Grain Boundary Variations in Poly-Si TFTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Poly-Si TFT / Poly-Si TFT |
| キーワード(2)（和/英） | 統計的解析 / Statistical Analysis |
| キーワード(3)（和/英） | デバイスシミュレーション / Device Simulation |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶粒界 / Grain Boundary |
| キーワード(5)（和/英） | Vthばらつき / Variation in Vth |
| キーワード(6)（和/英） | 粒界モデル / Grain Boundary Model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 北原 義之 / Yoshiyuki KITAHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝生産技術センター Corporate Manufacturing Engineering Center, TOSHIBA Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高木 茂行 / Shigeyuki TAKAGI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝生産技術センター Corporate Manufacturing Engineering Center, TOSHIBA Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鳥山 周一 / Shuichi TORIYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 筑波大学物理工学系 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐野 伸行 / Nobuyuki SANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 筑波大学物理工学系 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba |
| 発表年月日 | 2002/9/23 |
| 資料番号 | SDM2002-173 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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