| 講演名 | 2002/9/23 TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 三浦 規之, 小松原 弘毅, 望月 麻理恵, 林 洋一, 福田 浩一, |
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| 抄録(和) | TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ開発手法について述べる。特に低オフリーク版をターゲットとして、0.35um/2.5Vから0.15um/1.5Vヘシュリンク・電源電圧低減を行った。完全空乏型SOIトランジスタ開発において、SOI膜厚ばらつき・寄生チャネルリーク・寄生抵抗・基板浮遊効果などを考慮したTCAD検討が短TAT(turn around time)開発の鍵である。 |
| 抄録(英) | We present a TCAD-driven total design methodology of FD-SOI MOSFETs, starting from 0.35um/2.5V shrinking to 0.15um/1.5V. Jumping from 0.35um to 0.15um, two-phase experiments are performed effectively supported by exhaustive applications of TCAD local models. SOI specific consideration of SOI film thickness variations (oTsoi) and floating-body effects are the key points for the TCAD driven strategy. |
| キーワード(和) | 完全空乏型SOI / 寄生チャネルリーク / 寄生抵抗 / 基板浮遊効果 / 低消費電力 |
| キーワード(英) | Fully-depleted SOI / Parasitic channel leakage / Parasitic resistance / Floating-body effect / Low power |
| 資料番号 | SDM2002-172 |
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| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/9/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | TCAD Driven Process Design of Fully-Depleted SOI Transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 完全空乏型SOI / Fully-depleted SOI |
| キーワード(2)（和/英） | 寄生チャネルリーク / Parasitic channel leakage |
| キーワード(3)（和/英） | 寄生抵抗 / Parasitic resistance |
| キーワード(4)（和/英） | 基板浮遊効果 / Floating-body effect |
| キーワード(5)（和/英） | 低消費電力 / Low power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三浦 規之 / Noriyuki MIURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部 System LSI Research Division, Silicon Solutions Company, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小松原 弘毅 / Hirotaka KOMATSUBARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部 System LSI Research Division, Silicon Solutions Company, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 望月 麻理恵 / Marie MOCHIZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部 System LSI Research Division, Silicon Solutions Company, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 林 洋一 / Hirokazu HAYASHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部 System LSI Research Division, Silicon Solutions Company, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福田 浩一 / Koichi FUKUDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 シリコンソリューションカンパニー 研究本部 System LSI Research Division, Silicon Solutions Company, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/9/23 |
| 資料番号 | SDM2002-172 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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