| 講演名 | 2002/9/23 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 河本 章宏, 佐藤 伸吾, 大村 泰久, |
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| 抄録(和) | サブ100nmチャネル長領域においては、ソース・ドレインにおける横方向の不純物分布がデバイス特性に強く影響を与えると考えられる。本報告ではデバイスシミュレーションを用いてチャネル内最大電子速度(V_| )を導出して不純物の横方向分布がもたらす影響について検討した結果を述べる。横方向への不純物拡散は特にチャネル長20nm領域でデバイス特性に大きく影響を及ぼすことが示される。横拡散長の最適化を行った結果、デバイス縮小によって与えられる正味の性能向上が限定的であることが示される。また、high-k材料やSb,Inといった新しい不純物原子の導入が不可欠であることも述べる。 | |
| 抄録(英) | This paper investigates how the lateral diffusion extent (L_| ), the optimization of L_ | |
| キーワード(和) | SOI MOSFET / 接合技術 / 短チャネル効果 / DIBL / high-k材料 | |
| キーワード(英) | ||
| 資料番号 | SDM2002-171 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/9/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization of Lateral Diffusion of Source and Drain for Sub-100-nm Channel Silicon-on-insulator MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 接合技術 |
| キーワード(3)（和/英） | 短チャネル効果 |
| キーワード(4)（和/英） | DIBL |
| キーワード(5)（和/英） | high-k材料 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河本 章宏 / Akihiro KAWAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部 Faculty of Engineering, Kansai University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 伸吾 / Shingo SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部 Faculty of Engineering, Kansai University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大村 泰久 / Yasuhisa OMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 関西大学工学部:関西大学ハイテクリサーチセンター Faculty of Engineering, Kansai University:High-Technology Research Center |
| 発表年月日 | 2002/9/23 |
| 資料番号 | SDM2002-171 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |