| 講演名 | 2002/9/23 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 若原 祥史, 大倉 康幸, 天川 博隆, 西 謙二, |
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| 抄録(和) | ゲート絶縁膜に高誘電体を用いたMOSFETの逆狭チャネル効果を調べた。実効膜厚EOTが同じでもゲート絶縁膜の誘電率が違えばフリンジ容量,物理膜厚が変わる.そのため逆狭チャネル効果も誘電率よって変わることを発見した. |
| 抄録(英) | We investigated the reverse narrow channel effect (RNCE) of high-K gate dielectric MOSFETs, and found that the RNCE depends on the fringe capacitance and the physical thickness of the gate dielectric. The RNCE depends on the permittivity of the gate dielectric. |
| キーワード(和) | MOSFET / 逆狭チャネル効果 / 高誘電体ゲート絶縁膜 / EOT / フリンジ容量 / 物理膜厚 |
| キーワード(英) | MOSFET / reverse narrow channel effect / high-K gate dielectric / EOT / fringe capacitance / physical thickness |
| 資料番号 | SDM2002-170 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/9/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of The Reverse Narrow Channel Effect of Submicron MOSFETs : The Effects of The High-K Gate Dielectrics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 逆狭チャネル効果 / reverse narrow channel effect |
| キーワード(3)（和/英） | 高誘電体ゲート絶縁膜 / high-K gate dielectric |
| キーワード(4)（和/英） | EOT / EOT |
| キーワード(5)（和/英） | フリンジ容量 / fringe capacitance |
| キーワード(6)（和/英） | 物理膜厚 / physical thickness |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 若原 祥史 / Shoji WAKAHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大倉 康幸 / Yasuyuki OHKURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 天川 博隆 / Hirotaka AMAKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西 謙二 / Kenji NISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 発表年月日 | 2002/9/23 |
| 資料番号 | SDM2002-170 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 346 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |