| 講演名 | 2002/6/14 制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性 河合 賢太郎, 蓮 達弘, 文珠 康真, 和泉 亮, 佐々木 公洋, 畑 朋延, |
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| 抄録(和) | 金属Zrと酸素を基板上で反応させる制限反応スパッタ法によりZrO_2膜を堆積し、その特性の評価を行っている。本報告では基板温度を室温～300℃+酸素流量比を3.4%～10.3%の間で変化させ堆積を行い、Zr-Silicate層の薄い良好な高誘電率膜が得られる条件を探った。漏れ電流特性においては酸素流量比を増加させるに従って漏れ電流が抑制される傾向にあった。比誘電率については基板温度を上げるに従い向上し、基板温度300℃・酸素流量比4.2%において最適値を示した。 |
| 抄録(英) | We present properties of ZrO_2 films which deposited by limited-reaction sputtering. By using metallic target, reduction of interfacial silicate layer can be expected. The ZrO_2 thin films were deposited with varying substrate temperature from R.T. to 300℃, and O_2/(Ar+O_2) flow rate from 3.4% to 10.3%. The best depositing condition to get a highest dielectric constant was investigated. As for leakage current characteristics, the leakage current decreased when the O_2/(Ar+O_2) flow rate was increased. On the other hand, the dielectric constant increased with increasing substrate temperature. We realized highest-k ZrO_2 thin films at 300℃ and O_2/(Ar+O_2) of 4.2%. |
| キーワード(和) | 制限反応スパッタ法 / ZrO_2 / 漏れ電流 / 比誘電率 |
| キーワード(英) | limited-reaction sputtering / ZrO_2 / leakage current / dielectric constant |
| 資料番号 | SDM2002-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/6/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 制限反応スパッタ法によるZrO_2の成長とゲート絶縁膜特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Growth of ZrO_2 and The Gate Insulation Film Characteristic by Limited-Reaction Sputtering The format of Technical Report |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 制限反応スパッタ法 / limited-reaction sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | ZrO_2 / ZrO_2 |
| キーワード(3)（和/英） | 漏れ電流 / leakage current |
| キーワード(4)（和/英） | 比誘電率 / dielectric constant |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 河合 賢太郎 / Kentaro Kawai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院 自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology Kanazawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 蓮 達弘 / Tatsuhiro Hasu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院 自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology Kanazawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 文珠 康真 / Kousin Monju |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院 自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology Kanazawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 和泉 亮 / Ryou Izumi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学 Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々木 公洋 / Kimihiro Sasaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院 自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology Kanazawa University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 畑 朋延 / Tomonobu Hata |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 金沢大学大学院 自然科学研究科 Graduate School of Natural Science & Technology Kanazawa University |
| 発表年月日 | 2002/6/14 |
| 資料番号 | SDM2002-62 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 134 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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