講演名 | 2002/5/17 GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 小田 康裕, 渡邊 則之, 小林 隆, |
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抄録(和) | GaAsSbにCドープする際に、CBr_4がGaAsSbの成長に与える影響について検討を行った。CBr_4を添加すると、エッチング作用によりGaAsSbの成長速度が低下し、また、GaAsSb中のGa・AsサイトとGa-Sbサイトとで、成長速度の低下率に差があるために組成がAs richになる事が明らかになった。CドープGaAsSbのホール濃度の熱的安定性について調べたところ、アニール後にホール濃度の増加が見られた。増加を生じさせる反応の活性化エネルギーを求め、SIMSによるアニールによる結晶内水素濃度の測定結果から、CドープGaAsSbにおいても水素によるCアクセプタ不活性化が生じていると思われる。 |
抄録(英) | We investigated influence of partial pressure of CBr_4 on growth of GaAsSb by MOCVD. Because of etching effect by CBr_4, growth rate of GaAsSb decreased as partial pressure of CBr_4 increased. Additionally, Sb content in GaAsSb also decreased. These phenomena are caused by difference between etching rate of Ga-As and Ga-Sb in GaAsSb. Next, we attempted to explain increase in hall concentration after annealing in C-doped GaAsSb. Carbon acceptors in GaAsSb may combine with hydrogens, partially, and de-active in MOCVD growth. These C-H combinations are cut by thermal energy, the carbon acceptors become re-active. |
キーワード(和) | MOCVD / GaAsSb / CBr_4 / Cドープ / アクセプタ不活性化 |
キーワード(英) | MOCVD / GaAsSb / CBr_4 / C-doped / acceptor passivation |
資料番号 | SDM2002-35 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2002/5/17(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | C-doped GaAsSb grown by MOCVD with CBr_4 |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | MOCVD / MOCVD |
キーワード(2)(和/英) | GaAsSb / GaAsSb |
キーワード(3)(和/英) | CBr_4 / CBr_4 |
キーワード(4)(和/英) | Cドープ / C-doped |
キーワード(5)(和/英) | アクセプタ不活性化 / acceptor passivation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 小田 康裕 / Yasuhiro ODA |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
第 2 著者 氏名(和/英) | 渡邊 則之 / Noriyuki WATANABE |
第 2 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
第 3 著者 氏名(和/英) | 小林 隆 / Takashi KOBAYASHI |
第 3 著者 所属(和/英) | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
発表年月日 | 2002/5/17 |
資料番号 | SDM2002-35 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 81 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |