| 講演名 | 2002/5/16 Tbをイオン注入したGaNの発光特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 若原 昭浩, 山本 鉄隆, 中西 康夫, 吉田 明, 大島 武, 伊藤 久義, |
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| 抄録(和) | GaNエピ層にイオン注入法によりTbを導入し、Tbの注入条件、およびアニール条件を変えて、Tbに関連した発光の変化について調べた結果、380nm付近に観測されたブロードな発光はTbに関連したDAペア発光、540nm付近に複数観測された緑色のシャープな発光は、Tbの4f電子の遷移によるものであることが分かった。 |
| 抄録(英) | Tb, one of the rare earth elements, was introduced into GaN epilayer by using ion implantation method, and effects of the implantation and annealing conditions on photoluminescence properties related to the Tb^<3+> was investigated. |
| キーワード(和) | GaN / 希土類元素 / フォトルミネセンス / イオン注入 |
| キーワード(英) | GaN / Rare earth impurity / Photoluminescence / ion implantation |
| 資料番号 | SDM2002-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Tbをイオン注入したGaNの発光特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Luminescence properties of Tb implanted GaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 希土類元素 / Rare earth impurity |
| キーワード(3)（和/英） | フォトルミネセンス / Photoluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 鉄隆 / Tetsutaka YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中西 康夫 / Yasuo NAKANISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira YOSHIDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大島 武 / Takeshi OHSHIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本原子力研究所高崎研究所 Takasahi Lab., JAERI |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊藤 久義 / Hisayoshi ITOH |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本原子力研究所高崎研究所 Takasahi Lab., JAERI |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-24 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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