| 講演名 | 2002/5/16 GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 仲尾 健, 大野 雄高, 秋田 光俊, 岸本 茂, 前澤 宏一, 水谷 孝, |
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| 抄録(和) | 大きなドレイン電圧を印加したAlGaN/GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(EL)について調べた。ELの空間分布を調べたところ,ELはドレイン電極端で観測され高電界領域がドレイン電極端に形成されていることを示している。これは,GaAs HEMTにおいてELがゲート電極端で観測されたこととは異なる。二次元デバイスシミュレーションにより高電界領域形成機構を調べたところ高濃度の表面トラップによってドレイン電極端に高電界領域が形成されることがわかった。また,ELスペクトルを可視から近赤外の領域で調べたところ,ELはドレイン電流方向に偏光していた。 |
| 抄録(英) | Electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTs biased at high drain-source voltages has been investigated. The electroluminescence was observed at the drain edge. This is quite different from the case of AlGaAs/GaAs HEMTs in which the electroluminescence was observed at the gate edge. 2D device simulation was performed to investigate the difference in the EL distribution. The results show that high-density surface traps cause the formation of high-field region at the drain edge. Electroluminescence spectroscopy was also performed. A broad spectrum was obtained in a wavelength range of visible to near-infrared light with a polarization in the direction of parallel to the drain current. |
| キーワード(和) | GaN HEMT / エレクトロルミネッセンス / 高電界 / 破壊 |
| キーワード(英) | GaN HEMT / electroluminescence / high field / breakdown |
| 資料番号 | SDM2002-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescence |
| キーワード(3)（和/英） | 高電界 / high field |
| キーワード(4)（和/英） | 破壊 / breakdown |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 仲尾 健 / Takeshi NAKAO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大野 雄高 / Yutaka OHNO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 秋田 光俊 / Mitsutoshi AKITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岸本 茂 / Shigeru KISHIMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Koichi MAEZAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi MIZUTANI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-23 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |