| 講演名 | 2002/5/16 AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 木田 喜啓, 柴田 智彦, 直井 弘之, 三宅 秀人, 平松 和政, 田中 光浩, |
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| 抄録(和) | AlNモル分率の大きいAlGaNをGaN上に成長させるとAlGaNに働く引っ張り応力が大きくなり、小さい臨界膜厚でクラックが発生するため、高品質の高AlNモル分率AlGaNを作製することは困難である。本研究では、減圧MOVPE法により高品質AlGaNを成長させるためにエピタキシャルAlNを下地として用い、成長温度に対するAlGaNの組成と成長速度変化を調べ、また結晶性、光学特性などの評価を行った。得られたAlGaNはcrack-freeであり、(0002)XRCのFWHMは200arcsec程度であった。またCL発光スペクトルはバンド端近傍からの発光ピークのみで深い準位に関する発光が見られなかった。以上よりエピタキシャルAlNを下地とすることにより高品質、crack-freeのAlGaNの成長が可能であるといえる。 |
| 抄録(英) | Since tensile stress becomes stronger as AlN molar fraction gets higher in AlGaN grown on GaN. cracks are generated at relatively low thickness in AlGaN, which makes the fabrication of high-quality AlGaN with high AlN molar fraction difficult. In this study, epitaxial AlN film was used as the substrate for the growth of AlGaN by low -pressure MOVPE. The effect of growth temperature on the composition and the growth rate of AlGaN was investigated. Crystallinity, optical property and other property were also characterized. AlGaN grown on the epitaxial AlN film had no cracks, and their FWHM values of (0002)XRC were approximately 200 arcsec. Moreover there was no emission from deep level and only the emission peak having the highest energy concerned with near band edge transition was observed in CL spectra. From these results, crack-free AlGaN with high-quality can be obtained by using AlN epitaxial film as the substrate. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / AlN / LP-MOVPE / エピタキシャルAlN |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / AlN / LP-MOVPE / epitaxial AlN film |
| 資料番号 | SDM2002-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth and characterization of AlGaN with high AlN molar fraction using epitaxial AlN/Sapphire substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | LP-MOVPE / LP-MOVPE |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシャルAlN / epitaxial AlN film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木田 喜啓 / Yoshihiro KIDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柴田 智彦 / Tomohiko SHIBATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科:日本ガイシ(株) Faculty of Eng., Mie University:NGK Insulators, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 直井 弘之 / Hiroyuki NAOI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学SVBL Satellite Venture Business Lab., Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田中 光浩 / Mitsuhiro TANAKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ(株) NGK Insulators, Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-22 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |