| 講演名 | 2002/5/16 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 佐野 智昭, 岩谷 素顕, 寺尾 真二, 望月 信吾, 中村 哲也, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 周期溝GaN上に低温堆積中間層を介してAlGaNを再成長させ、横方向成長することにより低転位AlGaNを得られた。しかし、横方成長したAlGaNにおいてAlNモル分率の不均一が観測された。この組成不均一は不均一歪よりクラックの発生原因となるため、低減が必要である。実験の結果、組成不均一はアンモニアの供給量に大きく依存することを見いだした。また、アンモニアの供給量を下げることにより不均一を抑制できることが分かった。 |
| 抄録(英) | Low dislocation density AlGaN was achieved on GaN with a groove covered with low temperature deposited AlN. Inhomogeneity of AlN fraction exists in the buried groove area, which causes crack of the film by inhomogeneous stress. Inhomogeneity was found to be suppressed by controlling NH_3 flow rate during growth. |
| キーワード(和) | AlGaN / 横方向成長 / 組成不均一 / クラック |
| キーワード(英) | AlGaN / lateral growth / compositional inhomogeneity / crack |
| 資料番号 | SDM2002-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 埋め込みAlGaN横方向成長の組成不均一(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Compositional inhomogeneity in buried structure of AlGaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 横方向成長 / lateral growth |
| キーワード(3)（和/英） | 組成不均一 / compositional inhomogeneity |
| キーワード(4)（和/英） | クラック / crack |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐野 智昭 / Tomoaki Sano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター High-Tech Research Center, Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター High-Tech Research Center, Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 寺尾 真二 / Shinji Terao |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター High-Tech Research Center, Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 望月 信吾 / Shingo Mochizuki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター High-Tech Research Center, Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 哲也 / Tetuya Nakamura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター High-Tech Research Center, Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター High-Tech Research Center, Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi Amano |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター High-Tech Research Center, Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu Akasaki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科ハイテクリサーチセンター High-Tech Research Center, Faculty of Science and Technology, Meijo University |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-21 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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