| 講演名 | 2002/5/16 MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 奥野 浩司, 大塚 康二, 桑原 憲弘, 角谷 正友, 高野 泰, 福家 俊郎, |
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| 抄録(和) | MOCVD法により、低温堆積させたAl薄膜を高温で窒化することにより形成したAlNバッファ層を利用して、(0001)面および(11-20)面サファイア基板上に(10-10)面GaNを成長させる事が出来た。(11-20)面サファイア基板の場合には、基板と成長層の[0001]方位が一致した。しかし、純粋な(10-10)GaN成長層が得られる条件は狭く、510℃における厚さ約20nmのAl層堆積、10分間での1040℃までの昇温、3分間の窒化により、最も結晶性の良い(10-10)GaN成長層が得られた。また、Al層の窒化により形成したAlNバッファ層上に高温AlNバッファ層を堆積することにより、(10-10)面GaN成長層の結晶及び表面平坦性が向上した。 |
| 抄録(英) | (10-10) GaN layer can be grown on (0001) and (11-20) sapphire substrates by MOCVD using AlN buffer layer, which is formed by low-temperature Al deposition followed by temperature rise to 1040℃ and nitridation process. [0001] direction of (10-10)GaN coincided with that of sapphire substrate. However, the deposition condition for (10-10) GaN growth is limited and (10-10)GaN layer with best crystallinity was obtained by the following process : Al deposition with a thickness of 20 nm at 510℃, temperature rise to 1040℃ for 10min and nitridation at 1040℃ for 3 min. Further more, the crystallinity and the surface flatness of (10-10)GaN layer were improved by inserting high-temperature AlN buffer layer on nitrided Al layer. |
| キーワード(和) | MOCVD / (10-10)GaN / AlNバッファ層 / サファイア基板 |
| キーワード(英) | MOCVD / (10-10)GaN / AlN buffer layer / Sapphire substrate |
| 資料番号 | SDM2002-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of (10-10) GaN on Sapphire Substrates by MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | (10-10)GaN / (10-10)GaN |
| キーワード(3)（和/英） | AlNバッファ層 / AlN buffer layer |
| キーワード(4)（和/英） | サファイア基板 / Sapphire substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 奥野 浩司 / K. OKUNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大塚 康二 / K. OHTSUKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | サンケン電気株式会社半導体研究所 R&D Division, Sanken Electric Co. Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 桑原 憲弘 / K. KUWAHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 角谷 正友 / M. SUMIYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Y. TAKANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 福家 俊郎 / S. Fuke |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-20 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |