| 講演名 | 2002/5/16 RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_<1-x>Nの結晶成長と特性評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 堀 正輝, 加野 賢二, 山口 智広, 齋藤 義樹, 荒木 努, 名西 〓之, |
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| 抄録(和) | RF-MBE法を用いたサファイア基板上In_xGa_<1-x>N成長において、これまで相分離の問題で結晶成長が困難とされてきた高In組成のIn_xGa_<1-x>N結晶成長に着目し、低温GaNバッファ層、低温InNバッファ層の導入及びプラズマ励起窒素源を用いた低温成長により、相分離を伴わない高In組成In_xGa_<1-x>Nの作成に成功した。特に低温InNバッファ層を用いることにより、In_xGa_<1-x>N成長層との格子定数差を低減し、高In組成In_xGa_<1-x>Nの表面モフォロジーを改善できることを明らかにした。また低温InNバッファ層上に全組成領域にわたるIn_xGa_<1-x>N結晶を作成し、III族源のビーム強度比の制御により良好なIn組成制御ができることを示した。また、その結晶性と電気的特性のIn組成依存性を評価した結果、In組成が約x=0.50以上ではIn組成の増加とともに、結晶性、電気的特性が向上する傾向が観測された。 |
| 抄録(英) | We succeeded in growth of high In composition In_xGa_<1-x>N on (0001) sapphire by RF-MBE, which was difficult because of phase separation. We used low-temperature epitaxial growth method on low-temperature grown GaN or InN buffer layers. The low-temperature InN buffer layer improved surface morphology of the In_xGa_<1-x>N with high In content of x=0.71. We also demonstrated that In_xGa_<1-x>N with entire alloy composition could be grown using the low-temperature InN buffer layer with appropriate In composition controllability. It is found that crystallinity and electrical properties of In_xGa_<1-x>N (x>0.5) on the InN buffer layer were improved with increasing In composition. |
| キーワード(和) | In_xGa_<1-x>N / RF-MBE / 高In組成 / 相分離 / XRD |
| キーワード(英) | In_xGa_<1-x>N / RF-MBE / high indium composition / phase separation / XRD |
| 資料番号 | SDM2002-19 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE法を用いた高In組成In_xGa_<1-x>Nの結晶成長と特性評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal Growth and Characterization of In_xGa_<1-x>N with High Indium Composition Grown by RF-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | In_xGa_<1-x>N / In_xGa_<1-x>N |
| キーワード(2)（和/英） | RF-MBE / RF-MBE |
| キーワード(3)（和/英） | 高In組成 / high indium composition |
| キーワード(4)（和/英） | 相分離 / phase separation |
| キーワード(5)（和/英） | XRD / XRD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀 正輝 / M. Hori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加野 賢二 / K. Kano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 智広 / T. Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 齋藤 義樹 / Y. Saito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / T. Araki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 名西 〓之 / Y. Nanishi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-19 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |