| 講演名 | 2002/5/16 ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 荒木 努, 北村 健, 間宮 恒, 丸山 隆浩, 名西 〓之, |
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| 抄録(和) | ECR-MBE法を用いたZnO/Si基板上多結晶GaN成長において、表面モフォロジーの平坦化を目的として、ZnO/Si基板のサーマルクリーニングと高温での成長方法について検討を行った。760℃のサーマルクリーニングにより、基板表面が悪化し、また500℃以上においてZnの脱離が起こっていることを確認した。以上の結果をもとに、サーマルクリーニングを500℃で行うことにより、700℃でGaNを成長した場合に、グレインサイズが増大した平坦な多結晶GaNを得ることに成功した。さらにより高温での成長を実現するために、低温GaNバッファ層堆積後に700℃で平坦なGaN中間層を成長し、その後750℃で成長を行う三段階成長を試みた。その結果、三段階成長を用いずに成長する場合に比べ、多結晶GaNのc軸配向性、表面平坦性、CL発光特性が向上することを明らかにした。 |
| 抄録(英) | The growth of polycrystalline GaN on ZnO/Si substrates by ECR-MBE was studied. It is found that the surface of ZnO/Si substrates became rough after thermal cleaning at 760℃ prior to growth. Desorption of Zn was also confirmed over 500℃ by QMS. Thus, using the ZnO/Si substrate thermally cleaned at 500℃, the polycrystalline GaN grown at 700℃ showed smooth surface morphology with grain structure. Three-step growth of polycrystalline GaN was performed, in which GaN was grown at 750℃ followed by the GaN intermediate layer grown at 700℃ on the low-temperature GaN buffer layer. The c-axis orientation, surface morphology and cathodoluminescence property of the polycrystalline GaN were improved by this method. |
| キーワード(和) | GaN / ZnO/Si / ECR-MBE / 多結晶 / 三段階成長 |
| キーワード(英) | GaN / ZnO/Si / ECR-MBE / polycrystalline / three-step growth |
| 資料番号 | SDM2002-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of Polycrystalline GaN on ZnO/Si substrates by ECR-MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ZnO/Si / ZnO/Si |
| キーワード(3)（和/英） | ECR-MBE / ECR-MBE |
| キーワード(4)（和/英） | 多結晶 / polycrystalline |
| キーワード(5)（和/英） | 三段階成長 / three-step growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu Araki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 北村 健 / Ken Kitamura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 間宮 恒 / Hisashi Mamiya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 丸山 隆浩 / Takahiro Maruyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 名西 〓之 / Yasushi Nanishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Faculty of Science and Engineering, Ritsumeikan University |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-18 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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