| 講演名 | 2002/5/16 (001)si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 亀代 典史, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦, |
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| 抄録(和) | GaNはSi(111)面上への結晶成長が可能であるが、熱膨張係数差によるクラック等の問題がある。この熱膨張係数差の問題は結晶軸を傾けることによって軽減することが可能である。本研究では、(001)Si7° off基板上にストライプ窓を設け、異方性エッチングにより(111)ファセットを作製した後、MOVPE法によりGaN選択成長を行った。その結果、平坦な(1-101)面が基板表面と平行となる六方晶GaNが得られた。また、界面の平坦性がヘテロ構造の特性に大きな影響を及ぼす為、平坦なGaN(1-101)面上にヘテロ構造を作製することによって特性の向上が期待される。そこでGaN(1-101)面上にAlGaN/GaNヘテロ構造を作製し、光学的特性の評価を行った。 |
| 抄録(英) | The GaN grown on a (111) Silicon substrate has, usually, many cracks because of the large mismatch of the thermal expansion coefficients. We have proposed a method to reduce the strain due to this large mismatch by inclining the C-axis. On a 7 degrees off axis (001) Silicon substrate (111) facets are made by anisotropic etching in KOH solution. On this facet we grew GaN selectively, of which (1-101) surface is parallel to the Silicon substrate. Moreover, we fabricated AlGaN/GaN heterostructures on the (1-101) GaN. |
| キーワード(和) | GaN / (001)Si / MOVPE / 選択成長 / ヘテロ構造 |
| キーワード(英) | GaN / (001)Si / MOVPE / Selective Area Growth / heterostructure |
| 資料番号 | SDM2002-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (001)si傾斜基板上への(1-101)GaNの結晶成長(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of (1-101) GaN on a 7 degrees off axis (001) Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | (001)Si / (001)Si |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / Selective Area Growth |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロ構造 / heterostructure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 亀代 典史 / Norifumi KAMESHIRO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本田 善央 / Yoshio HONDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 雅史 / Masahito YAMAGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko SAWAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-17 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |