| 講演名 | 2002/5/16 MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 直井 弘之, 生川 満久, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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| 抄録(和) | Si基板上に低転位密度でクラックのないGaN層を作製するために,新しい基板段差パターンを用いて有機金属気相エピタキシャル成長法(MOVPE法)によるGaNの選択横方向成長(ELO)を行った.段差パターンは従来のELO用ストライプパターンにGaNの成長領域を制限するための比較的粗いグリッドパターンを組み合わせたものである.成長領域を100μm角に制限することで,クラックのない比較的平坦なGaN層が得られた.また,ELO領域を制限することにより,SiO_2マスクを施したSi基板上においてもクラックのない成長層を得た.段差Si基板上およびSiO_2マスク付Si基板上の両方においてGaN成長層における貫通転位が低減された.GaN成長層のc軸のtiltの揺らぎは両基板上でほぼ同程度であった. |
| 抄録(英) | Epitaxial lateral overgrowth (ELO) of GaN was performed on a Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy, using a new surface groove pattern of the substrate for fabrication of crack-free GaN with low dislocation density. The groove pattern is a combination of stripes and a larger period grid, the former is for ELO of GaN and the latter is for limit of growth area. By limiting growth area to 100μm squared, the resultant grown layers were free from cracks and had a relatively flat surface. The selected-area ELO of GaN was also performed on a Si substrate covered with SiO_2 mask and GaN layers free from cracks were again obtained. Threading dislocation density of the ELO-GaN layers was lowered for both types of the Si substrate, i.e., the grooved Si substrate and the SiO_2-masked Si substrate. Tilt of c-axis of the ELO-GaN layers was almost the same for both types of the Si substrate. |
| キーワード(和) | Si上GaN / MOVPE法 / 制限領域ELO / 段差Si基板 / SiO_2マスク / 窒化Siマスク |
| キーワード(英) | GaN on Si / MOVPE / selected-area ELO / grooved Si substrate / SiO_2 mask / nitrided-Si mask |
| 資料番号 | SDM2002-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ELO of GaN on a grooved Si substrate by MOVPE : Selected-area ELO of GaN on a Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si上GaN / GaN on Si |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE法 / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 制限領域ELO / selected-area ELO |
| キーワード(4)（和/英） | 段差Si基板 / grooved Si substrate |
| キーワード(5)（和/英） | SiO_2マスク / SiO_2 mask |
| キーワード(6)（和/英） | 窒化Siマスク / nitrided-Si mask |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 直井 弘之 / Hiroyuki NAOI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学SVBL Satellite Venture Business Laboratory, Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 生川 満久 / Mitsuhisa NARUKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto MIYAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Faculty of Engineering, Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa HIRAMATSU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部 Faculty of Engineering, Mie University |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-16 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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