| 講演名 | 2002/5/16 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 黒岩 洋佑, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦, |
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| 抄録(和) | 格子型マスクパターンを用いた選択MOVPEにより(111)Si基板上へGaN単結晶の成長を行った。その結果、格子の端部ではリッジ成長が認められたが窓部にクラックフリーのGaNが作製可能であった。(0004)X線回折曲線の半値幅は388sec、77KにおけるPLのバンド端発光の半値幅は18.6meVと狭く、選択成長によりGaNの結晶性は大きく改善された。一方、GaN/AlGaN/Si界面のI-V特性は低抵抗のオーミック特性を示し、光電流スペクトルはAlGaN/Si界面付近にアモルファスSi層と思われる変成層が存在することを示唆していた。 |
| 抄録(英) | The selective metalorganic vapor-phase epitaxy of wurtzite GaN was performed on a (111) silicon substrate using SiO_2 grid mask pattern. Though rigde growth arose at egde region of the mask, GaN films free from cracks were achived. The full width at half maximum of the (0004) X-ray rocking curve was as narrow as 388 arcsec and that of the band edge emission of photoluminescence at 77K was 18.6 meV. I-V characteristics of a GaN/AlGaN/Si diode shows low resistance ohmic behavior, and The photocurrent spectra show existence of an amorphous Si layer at AlGaN/Si interface. |
| キーワード(和) | GaN / (111)Si / MOVPE / 選択成長 / 光電流 |
| キーワード(英) | GaN / Si substrate / MOVPE / selectivegrowth / photocurrent |
| 資料番号 | SDM2002-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 選択成長法による(111)Si基板上へのクラックフリーGaN結晶の作製(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN free from cracks on a (111)Si substrate by selective metalorganic vapor-phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | (111)Si / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 選択成長 / selectivegrowth |
| キーワード(5)（和/英） | 光電流 / photocurrent |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒岩 洋佑 / Yousuke Kuroiwa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 本田 善央 / Yoshio Honda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山口 雅史 / Masahito Yamaguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko Sawaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-15 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |