| 講演名 | 2002/5/16 MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 田中 光浩, 柴田 智彦, 坂井 正宏, 小田 修, 三宅 秀人, 平松 和政, 石川 博康, 江川 孝志, 神保 孝志, |
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| 抄録(和) | C面サファイア基板上に製膜した高品質なAlNエピタキシャル膜を下地とすることにより、従来法より高品質なGaNエピタキシャル膜を成膜出来ることを確認した.GaNエピタキシャル膜はX線ロッキンカーブの半値幅FWHMが(0004)、(20-24)に対して61、232arcsec、C面サファイア基板上AlNエピタキシャル膜は表面平坦性が良好でX線ロッキンカーブの半値幅FWHMが(0004)、(20-24)に対して44arcsec、1450arcsecである.高品質AlN/サファイア基板は電子あるいは高効率発光デバイス用の窒化物エピタキシャル基板として期待される. |
| 抄録(英) | We demonstrate the growth of high-quality GaN using underlying high-quality epitaxial AlN films on C-plane sapphire as a new buffer layer. The obtained GaN films were atomically flat and the full width at half maximum (FWHM) values of the X-ray rocking curve (XRC) were 61 arcsec and 232arcsec for (0004) and (20-24), respectively. XRC-FWHM values of the underlying AlN film were 44arcsec and 1450arcsec for (0004) and (20-24), respectively. It was found that the GaN XRC value for (0004) was much smaller than that of conventional GaN. |
| キーワード(和) | MOPVE / AlN / GaN / エピタキシャル膜 / テンプレート |
| キーワード(英) | MOVPE / AlN / GaN / Epitaxial / film / template |
| 資料番号 | SDM2002-14 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2002/5/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Hight-Quality AlN Eptaxial film and GaN growth on the AlN/Sapphire Templates by MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOPVE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル膜 / Epitaxial |
| キーワード(5)（和/英） | テンプレート / film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 光浩 / Mitsuhiro Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柴田 智彦 / Tomohiko Shibata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂井 正宏 / Masahiro Sakai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小田 修 / Osamu Oda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学電気電子工学科 Dept. of Electrical and electronic engineering, Mie University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三重大学電気電子工学科 Dept. of Electrical and electronic engineering, Mie University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu Ishikawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi Jimbo |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/5/16 |
| 資料番号 | SDM2002-14 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 80 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |